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公开(公告)号：CN109943885A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910145535.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板。一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×1017cm-3以下的氧浓度，所述碳化硅单晶基板具有2×104cm-2以下的位错密度，且所述碳化硅单晶基板具有2.0％以下的堆垛层错面积比率。一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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公开(公告)号：CN107075727A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057667.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/06 , C30B23/066 , H05B3/62 , H05B6/24 , H05B2203/003
Abstract: 准备具有筒状内表面(10)的坩埚(5)。以与内表面(10)接触的方式布置原料(12)，并在坩埚(5)内以面对原料(12)的方式布置晶种(11)。通过使原料(12)升华而在晶种(11)上生长碳化硅单晶(20)。内表面(10)由包围原料(12)的第一区域(10b)和第一区域(10b)以外的第二区域(10a)形成。在生长碳化硅单晶(20)的步骤中，第一区域(10b)中每单位面积的热量小于第二区域(10a)中每单位面积的热量。
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公开(公告)号：CN109943885B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910145535.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板。一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×1017cm‑3以下的氧浓度，所述碳化硅单晶基板具有2×104cm‑2以下的位错密度，且所述碳化硅单晶基板具有2.0％以下的堆垛层错面积比率。一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108495957A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780007967.4
申请日：2017-01-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , G01N23/207
CPC classification number: C30B29/36 , G01N23/207
Abstract: 在检测器6配置于[11-20]方向、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[-1100]方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。
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公开(公告)号：CN108495957B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201780007967.4
申请日：2017-01-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01N23/207 , C30B29/36
Abstract: 在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。
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公开(公告)号：CN107109694B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580069705.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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公开(公告)号：CN107208309A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680004997.5
申请日：2016-01-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/02 , C30B23/066 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B35/002 , C30B35/007
Abstract: 一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括：将碳化硅原料填充到坩埚中的步骤(S01)，所述碳化硅原料的流动性指数为70以上且100以下；和通过加热所述碳化硅原料而使所述碳化硅原料升华的步骤(S02)。
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公开(公告)号：CN107109694A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069705.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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