碳化硅基板
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108026664A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680056320.6

    申请日:2016-10-12

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板,其多数载流子密度为1×1017cm‑3以上,使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中,通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

    碳化硅单晶衬底
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108495957B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN201780007967.4

    申请日:2017-01-30

    Abstract: 在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下,第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下,第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

    碳化硅基板
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108026664B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201680056320.6

    申请日:2016-10-12

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板,其多数载流子密度为1×1017cm‑3以上,使得在除了自主表面的外周起算的距离为5mm以内的区域之外的区域中,通过μ‑PCD分析得到的少数载流子寿命的标准偏差为0.7ns以下。

    碳化硅单晶衬底
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108495957A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201780007967.4

    申请日:2017-01-30

    CPC classification number: C30B29/36 G01N23/207

    Abstract: 在检测器6配置于[11-20]方向、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下,第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[-1100]方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下,第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

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