公开(公告)号：CN108666395A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810510314.4

申请日：2018-05-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 吴真平 ,  王月晖 ,  支钰崧 ,  焦雷 ,  张晓 ,  陈政委 ,  唐为华

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0376 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该方法采用(0001)晶面的Al2O3作为衬底，并对衬底进行清洗；然后将清洗干净的衬底送入沉积室中，在衬底上应用射频磁控溅射技术生长氧化镓薄膜；最后在非晶氧化镓薄膜上用镂空的叉指掩膜板遮挡，采用直流磁控溅射方法在叉指掩膜板上溅射一层叉指金属电极，得到日盲紫外光电探测器，结构为MSM型三明治结构，从下到上分别是Al2O3衬底，非晶态氧化镓薄膜材料，Ti/Au叉指金属电极。本发明制造工艺简单，重复性好，暗电流小，稳定性高，响应速度快,紫外可见抑制比高，符合节能减排的理念，适宜进行大规模生产，具有广阔的发展前景。

公开(公告)号：CN108660416A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810600303.5

申请日：2018-06-12

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 吴真平 ,  焦雷 ,  王月晖 ,  陈政委 ,  张晓 ,  唐为华

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108

CPC classification number: C23C14/0623 ,  C23C14/28 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1085

Abstract: 本发明公开了一种薄膜制备方法、MoS2薄膜和光电探测器，所述方法利用激光脉冲轰击靶材，使靶材材料以等离子体的方式溅射出来，进而沉积在衬底表面，并通过原子间作用力相互吸附进而形成薄膜。所述薄膜优选为层状过渡金属二硫族化合物薄膜，特别是MoS2薄膜，通过控制所述激光脉冲的数目对薄膜的层数进行控制。本发明能够制备大面积、厚度可控的MoS2薄膜，利用MoS2薄膜制备的光电探测器具有良好的输出特性，光电响应也十分明显。

公开(公告)号：CN108754606A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810633727.1

申请日：2018-06-20

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 张晓 ,  余骁昀 ,  王西惠 ,  吴真平 ,  陈政委

IPC: C30B29/12 ,  C30B23/00 ,  H01F1/01 ,  H01F41/00

CPC classification number: C30B29/12 ,  C30B23/00 ,  H01F1/017 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明公开了一种具有磁热效应的CrBr3单晶及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。所述制备方法将CrBr3多晶原料放入石英管中，抽高真空；将石英管水平放入二温区管式炉内，然后同时将管式炉源区和生长区升温，恒温后冷却至室温，得到CrBr3单晶。本发明制备方法的合成温度低，设备简单，制造工艺简单，气相输运过程有利于材料的纯化，因此单晶纯度高，质量好。制备得到单晶材料在33K具有铁磁到顺磁的二级相变，在外加磁场下性能稳定，具有大的磁熵变和相对制冷能力。本发明为磁制冷的发展和应用提供了制备参数，可用于高能物理、低温工程精密仪器、电力工业等技术领域。