公开(公告)号：CN118129924A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410350528.5

申请日：2024-03-26

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 邓罡华 ,  张彪炳 ,  吴真平 ,  董典萌 ,  夏安东 ,  李山 ,  唐为华

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了基于氧化镓双光子吸收紫外飞秒激光脉宽测量的自相关仪，属于光电调控技术领域。包括：激光发生装置、光学延迟系统以及自相关信号采集装置；激光发生装置用于产生第一光束和第二光束；光学延迟系统与激光发生装置连接，用于改变第一光束和第二光束到达待测样品的时间；自相关信号采集装置用于接收经第一光束和第二光束先后照射待测样品所引起的双光子光电转换信号变化数据，并基于双光子光电转换信号变化数据，得到自相关信号。本发明充分利用氧化镓紫外波段的吸收特点制备的紫外探测器，并利用自相关法测量氧化镓紫外探测器的双光子吸收产生的光电转换信号来测量350‑450nm近紫外波段飞秒激光的脉冲宽度。

公开(公告)号：CN113066931B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110320139.4

申请日：2021-03-25

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  晏祖勇 ,  李培刚

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提出了一种spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器，依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro‑MeOTAD有机物薄膜；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga2O3薄膜；所述电子传输层为n型Si衬底；所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。本发明还公开了spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法。该p‑i‑n结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，并能实现无外置能源驱动下的自供电模式，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。

公开(公告)号：CN113054050A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110299201.6

申请日：2021-03-21

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。

公开(公告)号：CN107507876A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710751589.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  彭阳科

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1828

Abstract: 本发明公开了一种β-Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法，涉及光电子技术领域；探测器阵列从下到上依次为：β-Ga2O3光吸收层、下电极层、氧化物薄膜绝缘层和上电极层；在衬底上生长β-Ga2O3薄膜形成β-Ga2O3光吸收层，然后在β-Ga2O3光吸收层上制备包括列导线和叉指电极的下电极层；下电极层上方为氧化物薄膜绝缘层，最上层为包括行导线的上电极层；行导线与列导线的交叉部分中间布置氧化物薄膜绝缘层；每一列叉指电极的阳极都接在本列的列导线上，行导线连接每一行叉指电极的阴极；将制备好的探测器阵列用陶瓷封装器进行封装，得到β-Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列。本发明具有工艺可控性强，成本低，操作步骤简单，可大面积制备、重复性好和开发周期短等优点。

公开(公告)号：CN113054050B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202110299201.6

申请日：2021-03-21

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。

公开(公告)号：CN113066931A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110320139.4

申请日：2021-03-25

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  晏祖勇 ,  李培刚

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提出了一种spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器，依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro‑MeOTAD有机物薄膜；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga2O3薄膜；所述电子传输层为n型Si衬底；所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。本发明还公开了spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法。该p‑i‑n结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，并能实现无外置能源驱动下的自供电模式，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。

公开(公告)号：CN108666395A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810510314.4

申请日：2018-05-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 吴真平 ,  王月晖 ,  支钰崧 ,  焦雷 ,  张晓 ,  陈政委 ,  唐为华

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0376 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该方法采用(0001)晶面的Al2O3作为衬底，并对衬底进行清洗；然后将清洗干净的衬底送入沉积室中，在衬底上应用射频磁控溅射技术生长氧化镓薄膜；最后在非晶氧化镓薄膜上用镂空的叉指掩膜板遮挡，采用直流磁控溅射方法在叉指掩膜板上溅射一层叉指金属电极，得到日盲紫外光电探测器，结构为MSM型三明治结构，从下到上分别是Al2O3衬底，非晶态氧化镓薄膜材料，Ti/Au叉指金属电极。本发明制造工艺简单，重复性好，暗电流小，稳定性高，响应速度快,紫外可见抑制比高，符合节能减排的理念，适宜进行大规模生产，具有广阔的发展前景。

公开(公告)号：CN108660416A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810600303.5

申请日：2018-06-12

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 吴真平 ,  焦雷 ,  王月晖 ,  陈政委 ,  张晓 ,  唐为华

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108

CPC classification number: C23C14/0623 ,  C23C14/28 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1085

Abstract: 本发明公开了一种薄膜制备方法、MoS2薄膜和光电探测器，所述方法利用激光脉冲轰击靶材，使靶材材料以等离子体的方式溅射出来，进而沉积在衬底表面，并通过原子间作用力相互吸附进而形成薄膜。所述薄膜优选为层状过渡金属二硫族化合物薄膜，特别是MoS2薄膜，通过控制所述激光脉冲的数目对薄膜的层数进行控制。本发明能够制备大面积、厚度可控的MoS2薄膜，利用MoS2薄膜制备的光电探测器具有良好的输出特性，光电响应也十分明显。

公开(公告)号：CN113066901B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202110315874.6

申请日：2021-03-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 一种增强VOx‑Ga2O3异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VOx‑Ga2O3异质结，对制备的VOx‑Ga2O3异质结进行二次特定气氛退火，以提升电子‑空穴的分离能力和载流子输运能力。本发明的方法可以改变界面处的接触特性和VOx材料的V元素价态比率以及Ga2O3材料的晶体质量，有效促进VOx‑Ga2O3异质结光电器件的自供电光响应性能的提升；本发明的方法操作简便，成本低廉，效果明显，有利于科学研究借鉴和工业化生产流程。

公开(公告)号：CN113066902A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110318666.1

申请日：2021-03-25

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明提供了一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法和相应的Ga2O3薄膜和光电探测器。所述方法包括：在衬底上生成初始的ε相晶体结构Ga2O3薄膜，并在富氧环境下对所述初始的Ga2O3薄膜进行退火处理，以得到最终的Ga2O3薄膜。本发明的方法能够有效改善ε相氧化镓的结晶质量和缺陷浓度，使ε相氧化镓的光电响应性能大幅度提升，达到光电探测器应用要求。