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公开(公告)号：CN113066901B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110315874.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 一种增强VOx‑Ga2O3异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VOx‑Ga2O3异质结，对制备的VOx‑Ga2O3异质结进行二次特定气氛退火，以提升电子‑空穴的分离能力和载流子输运能力。本发明的方法可以改变界面处的接触特性和VOx材料的V元素价态比率以及Ga2O3材料的晶体质量，有效促进VOx‑Ga2O3异质结光电器件的自供电光响应性能的提升；本发明的方法操作简便，成本低廉，效果明显，有利于科学研究借鉴和工业化生产流程。
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公开(公告)号：CN113066902A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110318666.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供了一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法和相应的Ga2O3薄膜和光电探测器。所述方法包括：在衬底上生成初始的ε相晶体结构Ga2O3薄膜，并在富氧环境下对所述初始的Ga2O3薄膜进行退火处理，以得到最终的Ga2O3薄膜。本发明的方法能够有效改善ε相氧化镓的结晶质量和缺陷浓度，使ε相氧化镓的光电响应性能大幅度提升，达到光电探测器应用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066901A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110315874.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032
Abstract: 一种增强VOx‑Ga2O3异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VOx‑Ga2O3异质结，对制备的VOx‑Ga2O3异质结进行二次特定气氛退火，以提升电子‑空穴的分离能力和载流子输运能力。本发明的方法可以改变界面处的接触特性和VOx材料的V元素价态比率以及Ga2O3材料的晶体质量，有效促进VOx‑Ga2O3异质结光电器件的自供电光响应性能的提升；本发明的方法操作简便，成本低廉，效果明显，有利于科学研究借鉴和工业化生产流程。
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公开(公告)号：CN113066931B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110320139.4
申请日：2021-03-25
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器，依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro‑MeOTAD有机物薄膜；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga2O3薄膜；所述电子传输层为n型Si衬底；所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。本发明还公开了spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法。该p‑i‑n结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，并能实现无外置能源驱动下的自供电模式，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。
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公开(公告)号：CN113054050A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110299201.6
申请日：2021-03-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。
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公开(公告)号：CN113054050B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110299201.6
申请日：2021-03-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。
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公开(公告)号：CN113066931A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110320139.4
申请日：2021-03-25
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器，依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro‑MeOTAD有机物薄膜；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga2O3薄膜；所述电子传输层为n型Si衬底；所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。本发明还公开了spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法。该p‑i‑n结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，并能实现无外置能源驱动下的自供电模式，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。
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