公开(公告)号：CN113066931A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110320139.4

申请日：2021-03-25

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  晏祖勇 ,  李培刚

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提出了一种spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器，依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro‑MeOTAD有机物薄膜；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga2O3薄膜；所述电子传输层为n型Si衬底；所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。本发明还公开了spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法。该p‑i‑n结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，并能实现无外置能源驱动下的自供电模式，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。

公开(公告)号：CN113066931B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110320139.4

申请日：2021-03-25

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  晏祖勇 ,  李培刚

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提出了一种spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器，依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro‑MeOTAD有机物薄膜；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga2O3薄膜；所述电子传输层为n型Si衬底；所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。本发明还公开了spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法。该p‑i‑n结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，并能实现无外置能源驱动下的自供电模式，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。