公开(公告)号：CN118129924A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410350528.5

申请日：2024-03-26

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 邓罡华 ,  张彪炳 ,  吴真平 ,  董典萌 ,  夏安东 ,  李山 ,  唐为华

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了基于氧化镓双光子吸收紫外飞秒激光脉宽测量的自相关仪，属于光电调控技术领域。包括：激光发生装置、光学延迟系统以及自相关信号采集装置；激光发生装置用于产生第一光束和第二光束；光学延迟系统与激光发生装置连接，用于改变第一光束和第二光束到达待测样品的时间；自相关信号采集装置用于接收经第一光束和第二光束先后照射待测样品所引起的双光子光电转换信号变化数据，并基于双光子光电转换信号变化数据，得到自相关信号。本发明充分利用氧化镓紫外波段的吸收特点制备的紫外探测器，并利用自相关法测量氧化镓紫外探测器的双光子吸收产生的光电转换信号来测量350‑450nm近紫外波段飞秒激光的脉冲宽度。

公开(公告)号：CN113054050A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110299201.6

申请日：2021-03-21

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。

公开(公告)号：CN113054050B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202110299201.6

申请日：2021-03-21

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。

公开(公告)号：CN113066901B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202110315874.6

申请日：2021-03-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 一种增强VOx‑Ga2O3异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VOx‑Ga2O3异质结，对制备的VOx‑Ga2O3异质结进行二次特定气氛退火，以提升电子‑空穴的分离能力和载流子输运能力。本发明的方法可以改变界面处的接触特性和VOx材料的V元素价态比率以及Ga2O3材料的晶体质量，有效促进VOx‑Ga2O3异质结光电器件的自供电光响应性能的提升；本发明的方法操作简便，成本低廉，效果明显，有利于科学研究借鉴和工业化生产流程。

公开(公告)号：CN113066902A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110318666.1

申请日：2021-03-25

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明提供了一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法和相应的Ga2O3薄膜和光电探测器。所述方法包括：在衬底上生成初始的ε相晶体结构Ga2O3薄膜，并在富氧环境下对所述初始的Ga2O3薄膜进行退火处理，以得到最终的Ga2O3薄膜。本发明的方法能够有效改善ε相氧化镓的结晶质量和缺陷浓度，使ε相氧化镓的光电响应性能大幅度提升，达到光电探测器应用要求。

公开(公告)号：CN113066901A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110315874.6

申请日：2021-03-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 一种增强VOx‑Ga2O3异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VOx‑Ga2O3异质结，对制备的VOx‑Ga2O3异质结进行二次特定气氛退火，以提升电子‑空穴的分离能力和载流子输运能力。本发明的方法可以改变界面处的接触特性和VOx材料的V元素价态比率以及Ga2O3材料的晶体质量，有效促进VOx‑Ga2O3异质结光电器件的自供电光响应性能的提升；本发明的方法操作简便，成本低廉，效果明显，有利于科学研究借鉴和工业化生产流程。