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公开(公告)号：CN104152994A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410392443.X
申请日：2011-10-20
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/687 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/68735 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T117/10 , Y10T117/1016
摘要： 本发明公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm。本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN104152994B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410392443.X
申请日：2011-10-20
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/687 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/68735 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T117/10 , Y10T117/1016
摘要： 公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm。本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102168304A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110031205.2
申请日：2011-01-25
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法，其包括：在外延反应器的基座上放置挡片；引导刻蚀气体通过外延反应器，从而通过刻蚀气体的作用移除外延反应器内表面上的残留物；引导第一沉积气体通过外延反应器，从而在外延反应器内的表面上沉积硅；用由硅构成的基体晶片替代挡片；并且引导第二沉积气体通过外延反应器，从而在基体晶片上沉积外延层。
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公开(公告)号：CN102168304B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201110031205.2
申请日：2011-01-25
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法，其包括：在外延反应器的基座上放置挡片；引导刻蚀气体通过外延反应器，从而通过刻蚀气体的作用移除外延反应器内表面上的残留物；引导第一沉积气体通过外延反应器，从而在外延反应器内的表面上沉积硅；用由硅构成的基体晶片替代挡片；并且引导第二沉积气体通过外延反应器，从而在基体晶片上沉积外延层。
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公开(公告)号：CN102664160B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110330672.5
申请日：2011-10-20
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/02 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/68735 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T117/10 , Y10T117/1016
摘要： 公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm。本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102664160A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201110330672.5
申请日：2011-10-20
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/02 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/68735 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T117/10 , Y10T117/1016
摘要： 公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm。本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。
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