Invention Grant
- Patent Title: 一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法
- Patent Title (English): Method for producing a semiconductor wafer composed of silicon with an epitaxially deposited layer
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Application No.: CN201110031205.2Application Date: 2011-01-25
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Publication No.: CN102168304BPublication Date: 2015-05-27
- Inventor: C·哈格尔 , T·洛赫 , N·维尔纳
- Applicant: 硅电子股份公司
- Applicant Address: 德国慕尼黑
- Assignee: 硅电子股份公司
- Current Assignee: 硅电子股份公司
- Current Assignee Address: 德国慕尼黑
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 过晓东
- Priority: 102010006725.3 2010.02.03 DE
- Main IPC: C30B25/12
- IPC: C30B25/12 ; C30B25/02
Abstract:
一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法，其包括：在外延反应器的基座上放置挡片；引导刻蚀气体通过外延反应器，从而通过刻蚀气体的作用移除外延反应器内表面上的残留物；引导第一沉积气体通过外延反应器，从而在外延反应器内的表面上沉积硅；用由硅构成的基体晶片替代挡片；并且引导第二沉积气体通过外延反应器，从而在基体晶片上沉积外延层。
Public/Granted literature
- CN102168304A 一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法 Public/Granted day:2011-08-31
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IPC分类:
