-
公开(公告)号：CN102534770A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110431762.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: C30B29/36 , C30B25/14 , C30B25/165 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。
-
公开(公告)号：CN112334607B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201980040774.8
申请日：2019-06-17
Applicant: 株式会社电装 , 一般财团法人电力中央研究所
Abstract: 在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
-
公开(公告)号：CN112334607A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040774.8
申请日：2019-06-17
Applicant: 株式会社电装 , 一般财团法人电力中央研究所
Abstract: 在SiC单晶(6)的生长中添加重金属元素，将其添加密度设定为1×1015cm‑3以上。这样的构成的SiC单晶(6)是不易因生长中产生的热应力而产生位错的SiC单晶。因此，在将SiC单晶(6)切片而制成晶片并在其上使SiC层外延生长的情况下，也变得不易产生位错。通过设定为这样的构成，能够制成可抑制位错的产生或增殖的SiC单晶。
-
公开(公告)号：CN113227448A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202080007290.6
申请日：2020-01-07
Abstract: 反应室(100)被设计用于反应器(100)，反应器用于在基底上沉积半导体材料的层；反应室包括管(110)和注射器(20)以及保持器(30)，管(110)由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区；注射器(20)被布置成将前体气体注入反应和沉积区；保持器(30)被布置成在沉积过程期间支撑在反应和沉积区中的基底；石墨基座元件(10、40、50)位于管(110)的内部，用于加热反应和沉积区以及在反应和沉积区内的部件；感应器系统(60、70)位于管(110)外部，用于通过电磁感应向基座元件(10、40、50)提供能量；呈圆柱形管或棱柱形管的形式的旋转元件(80)位于反应和沉积区内部并且围绕注射器(20)。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113227448B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202080007290.6
申请日：2020-01-07
Abstract: 反应室(100)被设计用于反应器(100)，反应器用于在基底上沉积半导体材料的层；反应室包括管(110)和注射器(20)以及保持器(30)，管(110)由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区；注射器(20)被布置成将前体气体注入反应和沉积区；保持器(30)被布置成在沉积过程期间支撑在反应和沉积区中的基底；石墨基座元件(10、40、50)位于管(110)的内部，用于加热反应和沉积区以及在反应和沉积区内的部件；感应器系统(60、70)位于管(110)外部，用于通过电磁感应向基座元件(10、40、50)提供能量；呈圆柱形管或棱柱形管的形式的旋转元件(80)位于反应和沉积区内部并且围绕注射器(20)。
-
公开(公告)号：CN113227449A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202080007298.2
申请日：2020-01-07
Abstract: 反应室(100)被用于在基底上沉积半导体材料的层的沉积反应器；反应室包括管(110)，管由石英制成并且具有圆柱形的形状，并且适于在使用中被定位成使得其轴线(111)是竖直的；管(110)具有圆柱形的内部间隙(112)，内部间隙沿着管(110)的整个长度延伸并且适于容纳流动的液体；室(100)还包括的环形的封闭元件(120)，封闭元件由石英制成并且固定到管(110)的第一下端，以便封闭间隙(112)，防止液体在底部处从间隙流出；在顶部处，封闭元件(120)具有面向间隙(112)的环形凹部(122)，使得流动的液体可在底部处到达凹部(122)；室(100)还包括间隙(112)内部的一组内部导管(130)，其中所述内部导管(130)从管(110)的第一下部区域延伸直到管(110)的第二上部区域，以便于流动的液体在间隙(112)中的循环。
-
公开(公告)号：CN107254715A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710281775.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: C30B29/36 , C30B25/14 , C30B25/165 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。
-
公开(公告)号：CN106948007A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610862561.1
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: C30B25/165 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/36 , C30B25/025 , C30B25/10 , C30B25/16
Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。
-
公开(公告)号：CN102534795A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110431747.9
申请日：2011-12-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: C30B25/165 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/36
Abstract: 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应用于碳化硅的原料气体(3)来在由碳化硅单晶基片制成的籽晶(5)的表面上生长碳化硅单晶。该装置包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的基部(9)。籽晶安装于基部的第一侧上。该装置还包括用于支撑基部并且用于从基部的第二侧将净化气体供应至基部的净化气体引入机构(11)。基部具有用于从基部朝着籽晶的外缘排出所供应净化气体的净化气体引入路径(94，95c)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.02 seconds)
