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公开(公告)号：CN113227449A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202080007298.2
申请日：2020-01-07
Abstract: 反应室(100)被用于在基底上沉积半导体材料的层的沉积反应器；反应室包括管(110)，管由石英制成并且具有圆柱形的形状，并且适于在使用中被定位成使得其轴线(111)是竖直的；管(110)具有圆柱形的内部间隙(112)，内部间隙沿着管(110)的整个长度延伸并且适于容纳流动的液体；室(100)还包括的环形的封闭元件(120)，封闭元件由石英制成并且固定到管(110)的第一下端，以便封闭间隙(112)，防止液体在底部处从间隙流出；在顶部处，封闭元件(120)具有面向间隙(112)的环形凹部(122)，使得流动的液体可在底部处到达凹部(122)；室(100)还包括间隙(112)内部的一组内部导管(130)，其中所述内部导管(130)从管(110)的第一下部区域延伸直到管(110)的第二上部区域，以便于流动的液体在间隙(112)中的循环。
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公开(公告)号：CN113943974B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202111146174.5
申请日：2017-10-30
Applicant: 洛佩诗公司
Abstract: 本申请涉及一种用于外延沉积的反应器(1)及其加热方法。反应器(1)包括承受器(2)和感应器(4)；感应器(4)适于在其被通电时通过电磁感应加热承受器(2)；感应器(4)包括多个匝(41‑47)；在承受器(2)从第一温度加热到第二温度期间，感应器(4)的一匝或更多匝(43)相对于承受器(2)和感应器(4)的其他匝的位置改变。匝(43)借助于适当的致动系统(61，62，63)来致动。
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公开(公告)号：CN116057214A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180053846.X
申请日：2021-09-09
Applicant: 洛佩诗公司
IPC: C30B29/36
Abstract: 方法用于通过CVD型工艺将具有n型掺杂的碳化硅层沉积到基底的表面上，该基底水平地放置在反应室内的旋转基座上；该旋转基座适于单基底支撑；该方法包括沿着反应室将气体混合物从第一侧引入到第二侧并使气体混合物在内部流动，经过所述反应室的下壁的一部分并且然后经过支撑一个基底的所述旋转基座；气体混合物包括以下或者由以下组成：一种或更多种作为待沉积的碳化硅的前体的气体，和载气以及前体气体，该前体气体包含适于产生n型掺杂的物质；掺杂剂物质适于经历通过与所述反应室的由碳化硅制成的内表面接触而催化的热解，形成具有化学计量NHxCySiz的物质，其中x和y以及z被包括在0和3之间并且x+y+z>0，反应室处于被包括在1450℃和1800℃之间的范围内的温度和被包括在5kPa和30kPa之间的范围内的压力；将基底放置在反应室内的区域中，在该区域中Si、C和N的可用性的趋势分别都在降低并且在该区域中温度在沉积温度范围内。
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公开(公告)号：CN109844175A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780061280.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 洛佩诗公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及用于在基底(100)上外延沉积半导体材料的反应器(1)，包括：反应室(2)，其设置有由下壁(21)、上壁(22)和侧壁(23，24)界定的空腔(20)；衬托器(3)，其被定位在所述空腔(20)内部，并且适于在外延沉积期间支撑和加热基底(100)；加热系统(6)，其适于加热所述衬托器(3)；上板(7)，其被定位在所述上壁(22)上方并且覆盖所述衬托器(3)，使得上板(7)将由所述衬托器(3)发射的热辐射反射朝向所述衬托器(3)。液体流(LF)被提供在所述上板(7)中或所述上板(7)上，以冷却所述上板(7)。气体流(GF)被提供在所述上壁(22)和所述上板(7)之间，以促进热量从所述上壁(22)至所述上板(7)的传递。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117413097A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280039011.3
申请日：2022-06-07
Applicant: 洛佩诗公司
Inventor： 斯瑞尼瓦斯·亚拉加达 , 西尔维奥·佩雷蒂 , 弗朗西斯科·科里亚 , 斯特凡诺·波利
IPC: C30B25/08
Abstract: 反应室(100)包括覆盖系统(90)，该覆盖系统位于反应室的腔(101)内，并且包括搁置在腔的下壁上的至少一个下覆盖元件(120)以及搁置在下覆盖元件(120)上的上覆盖元件(130)；下覆盖元件(120)和上覆盖元件(130)界定隔离的内部空间以容纳至少一个基底，并且形成围绕该内部空间的四个壁并且与腔壁间隔开；室(100)的壁通常由石英制成，并且覆盖系统(90)通常由石英制成。
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公开(公告)号：CN109844175B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201780061280.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 洛佩诗公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及用于在基底(100)上外延沉积半导体材料的反应器(1)，包括：反应室(2)，其设置有由下壁(21)、上壁(22)和侧壁(23，24)界定的空腔(20)；衬托器(3)，其被定位在所述空腔(20)内部，并且适于在外延沉积期间支撑和加热基底(100)；加热系统(6)，其适于加热所述衬托器(3)；上板(7)，其被定位在所述上壁(22)上方并且覆盖所述衬托器(3)，使得上板(7)将由所述衬托器(3)发射的热辐射反射朝向所述衬托器(3)。液体流(LF)被提供在所述上板(7)中或所述上板(7)上，以冷却所述上板(7)。气体流(GF)被提供在所述上壁(22)和所述上板(7)之间，以促进热量从所述上壁(22)至所述上板(7)的传递。
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公开(公告)号：CN108884589A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019048.9
申请日：2017-03-20
Applicant: 洛佩诗公司
IPC: C30B25/12 , C23C16/458
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4584 , C23C16/4586
Abstract: 用于外延沉积反应器的衬托器包括盘形部分(11、12)，该盘形部分适于水平放置并且在顶部处具有至少一个圆柱形的袋(200)，待经受外延沉积工艺的基底(100)放置在该袋处；袋(200)具有底部；流体连接到吸气系统(300)的一个或更多个导管(13)在袋(200)的底部上开口；当基底(100)被放置在袋(200)的底部上并且吸气系统(300)处于工作状态时，基底(100)保持附着到袋(200)的底部。特别地：上部主体(12)在上方具有袋(200)，导管(13)仅竖直地穿过上部主体(12)，导管(13)流体连接到集气室(14)，集气室在袋(200)下方位于下部主体(11)和上部主体(12)之间，集气室(14)流体连接到吸气系统(300)；由此当基底(100)被放置在袋(200)的底部上并且吸气系统(300)处于工作状态时，下部主体(11)和上部主体(12)保持结合。
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公开(公告)号：CN112752864B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201980063499.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 洛佩诗公司
Abstract: 一种用于在基底上沉积半导体材料层的反应器(100)，包括：反应室(110)、位于反应室内的基座组件(120)以及适于通过电磁感应加热基座组件的加热系统(130)；加热系统(130)包括第一感应器(131)和第二感应器(132)以及适于将彼此不同且独立的交流电电力地馈电给第一感应器和第二感应器(131，132)的电源(135)；反应器(131，132)之间的电磁耦合的屏蔽组件(140)。(100)还包括适于限制第一感应器和第二感应器
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公开(公告)号：CN114450439A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080068618.5
申请日：2020-10-02
Applicant: 洛佩诗公司
IPC: C30B25/08 , C30B25/12 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备的装载/卸载组(300)；至少部分邻近装载/卸载组(300)的装载/卸载室(400)，其具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)；用于在所述装载/卸载室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和不具有任何基片的基片支撑设备的至少一个外部机器人(500)；用于在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间经由所述传送室(200)传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备的至少一个内部机器人(600)；其中所述外部机器人(500)包括铰接臂(510)，该铰接臂被布置成操纵已处理的基片和未处理的基片两者以及基片支撑设备。
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