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公开(公告)号：CN117025211B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN116544535B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310687162.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种无负极锂金属电池的补锂添加剂、正极浆料及正极，属于无负极锂金属电池领域，所述补锂添加剂包括苯甲酸锂、苯乙酸锂、苯丙酸锂、苯丁酸锂、苯异丁酸锂、邻羟基苯甲酸锂、间羟基苯甲酸锂、对羟基苯甲酸锂、邻苯二甲酸锂、间苯二甲酸锂、邻苯二乙酸锂、间苯二乙酸锂和对苯二乙酸锂的任意一种；由此，本发明通过采用补锂添加剂为电池补充活性锂，且由于补锂添加剂的加入，在电池循环过程中能够促进正负极表面生成大量的LiF，通过LiF的电子绝缘性能提高了正极CEI层的稳定性和抑制了负极多孔树枝状锂枝晶的生长，从而提高了无负极(56)对比文件Minog Kim等.Li8ZrO6 as a Pre-lithiation Additive for Lithium-IonBatteries.ACS Appl. Energy Mater..2022,第5卷14433−14444.
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公开(公告)号：CN117025211A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN114589616A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210423800.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法，本发明涉及晶片抛光的装置及方法。它是要解决现有的CaF2晶体元件抛光方法的作业时间长、表面质量差的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、加热垫、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、振动装置、配重块、气动夹持装置；第一电机带动抛盘逆时针转动；加热垫和抛光垫置于抛盘表面，第二电机带动工件盘顺时针转动；在工件盘上方设置振动装置和配重块，气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力。方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、精抛；四、精整；抛光后的CaF2晶片表面的粗糙度Ra达到0.07～0.08nm，可用作透镜、棱镜和红外成像设备的窗口等光学领域。
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公开(公告)号：CN109161970B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811181541.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法，它涉及晶体的生长装置及生长方法。本发明是要解决现有的坩埚下降法生长的硒化镓单晶应力分布不均匀、透过率低的技术问题。本发明的置包括外套筒、内套筒、加热电阻丝、环形腔、反射膜、测温热电偶、端盖和保温塞；其中反射膜附于外套筒的内壁；透明材质的外套筒和内套筒之间的环形腔为真空腔，加热电阻丝设置在环形腔中。方法：将硒化镓籽晶放在PBN舟中，并悬空倾斜密封于真空石英管中，将石英管放在生长装置中部，调节三个温区的温度梯度，先将籽晶部分熔化且多晶料全部熔化，然后再降温固化，最后降至室温，得到硒化镓单晶，该单晶的透过率达到64％～66％，可用于民用和国防领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109868501A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910196498.6
申请日：2019-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法，本发明涉及晶体合成装置和方法。本发明是要解决现有的两步生长的单晶杂质高、成本高的技术问题。本发明的石英舟由籽晶阱区、放肩区、封闭区、开放区组成；其中籽晶阱区为一端密封的圆筒状；放肩区为圆台状；封闭区为圆筒状；开放区为半圆筒状；各区依次连接，并且它们的轴线在一条直线上。利用上述的石英舟一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法：将硒与镓加入到石英舟的封闭区，再将石英舟放在石英管中真空封装；在单温区炉合成多晶；然后将石英管直接放入垂直下降炉中生长，得到GaSe单晶。该单晶吸收系数小于0.1cm-1。可用于晶体合成。
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公开(公告)号：CN108328625A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810058159.7
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B39/40
Abstract: 一种中空多级孔ZSM-5分子筛的制备方法，本发明涉及ZSM-5分子筛的制备方法，本发明是要解决现有的ZSM-5分子筛孔径分布单一、分散性差、水热稳定性差的技术问题。本方法，先将表面活性剂、水、无机碱和铝源混合均匀，再滴加硅源，在70～90℃搅拌，再加入有机模板剂，再继续在70～90℃搅拌，然后水热晶化，焙烧，得到中空多级孔ZSM-5分子筛，该分子筛具有介孔微孔复合的多级孔结构，分散度高，可用于催化反应中。
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公开(公告)号：CN118841629A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411180810.X
申请日：2024-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/054
Abstract: 一种钠离子电池低浓度低温电解液及其制备方法和应用，它涉及钠离子电池电解液及其制备方法和应用。它是要解决现有的钠离子电池低浓度电解液的成本高、比容量低技术问题，本发明的电解液由钠盐、强溶剂化醚类溶剂和弱溶剂化醚类溶剂混合而成，其中强溶剂化醚类溶剂为乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚或四乙二醇二甲醚；弱溶剂化醚类溶剂为二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、三甲氧基甲烷或三甲氧基乙烷；制法：在无水无氧的氩气手套箱中将钠盐溶解于溶剂中即得；以该电解液组装的钠离子电池在‑20℃时初始比容量为300mAh g‑1，120次循环后为230mAh g‑1。电池的使用温度‑20～25℃，可用于钠离子电池领域。
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公开(公告)号：CN117867649B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410111972.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法，它涉及硒锗镓钡多晶料提纯及单晶体生长方法。它是要解决现有方法合成的BaGa2GeSe6多晶体纯度低，进而影响单晶体的透过率的技术问题。本方法：先按BaGa2GeSe6的化学计量比称取Ba源、Ga源、Ge源和Se源置于坩埚中，再放入石英管中，抽真空并熔融密封；放在水平管式炉中通过反应阶段、均质化阶段和梯度结晶阶段进行多晶合成；然后捣碎在垂直布里奇曼单晶生长炉中生长BGGSe单晶。本发明生长出单晶的透过率在0.6～17μm宽范围内大于55％。可用于非线性光学变频技术领域。
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公开(公告)号：CN113957455B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202111317272.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/061 , C25B11/091
Abstract: 一种电解水析氧催化剂FeCoNi LDH/CuO/Cu及其制备方法，它涉及电解水析氧催化剂及其制备方法。它是要解决现有的电解水制氢的贵金属催化剂成本高、稳定性差的技术问题。本发明的电解水析氧催化剂是以泡沫铜为导电基底，CuO纳米线原位生长于泡沫铜表面，FeCoNi LDH纳米片沉积于CuO纳米线上。制法：将洁净的泡沫铜片置于NaOH与(NH4)2S2O8的混合溶液中静置，经烘干、焙烧，得到CuO/Cu；再以三价铁盐、二价镍盐、二价钴盐和硝酸铵配制成电解液，在三电极体系中沉积即得。该催化剂作为电解水中的阳极在电流密度为50mA/cm2时过电势为243.1～271.4mV。可用于电解水领域。
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