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公开(公告)号：CN112779601A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011542745.2
申请日：2020-12-23
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种重掺砷极低电阻硅单晶的生长方法。采用CZ直拉法，包括抽真空、检漏、熔料、掺杂、稳定、引晶、放肩、等径、收尾工序；其特征在于，在放肩阶段采用氩气吹扫单晶硅肩部表面，在单晶棒周围设置多个氩气管道，氩气的吹入方向与单晶棒轴向之间的夹角为20°～25°，所述氩气管道的出气口位于水冷体下方100mm～120mm处；放肩结束后关闭来自氩气管道的氩气。本发明所需要装置结构简单，操作简便易实现，放肩成功率可达90％以上，极低电阻比例≥91.3％。
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公开(公告)号：CN112725889A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011542807.X
申请日：2020-12-23
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。本发明通过改进直拉法生长重掺锑硅单晶的收尾工艺，控制尾部形状，可以准确判断出“断胞”位置，从而得到无位错硅单晶。
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公开(公告)号：CN112746330A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011596433.X
申请日：2020-12-29
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开一种用于硅片消除氧施主热处理过程的冷却装置和方法。该冷却装置具备：冷液冷却系统，包括由数根冷水管组成的冷水管排、用于固定该冷水管排的固定装置、以及通过波纹管连接冷水管排的进水管和出水管；所述固定装置包括用于固定冷水管排不同部位的固定梁，在固定梁上装载有风速表及温湿度传感器；在进水管和出水管上分别安装有压力表、温度计，在波纹管上安装有流量计和阀门；通风系统，包括数个轴流风机以及用于机械固定轴流风机的紧固装置，轴流风机设置在冷水管排的一侧，并朝向冷水管排鼓风；控制系统，用于对冷却环境进行智能控制。本发明能够使得硅片退火出舟后快速和稳定的降温，有利于其快速退出氧施主的高生成率温区。
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公开(公告)号：CN112735942A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011642678.1
申请日：2020-12-30
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L29/10 , H01L29/739 , C30B15/00 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B30/04 , B28D5/02
摘要： 本发明公开了一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法。该方法依次包括以下工序：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，其中，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm，晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；在倒角工序中，分别使用1000#倒角轮倒角2次，3000#倒角轮倒角2次，最终倒角幅长控制在500‑700μm；在POLY薄膜生长工序中，载具转速为0.5‑3rpm，LPCVD的工艺温度区间为600‑630℃，LPCVD的气体流量区间为50‑200mL/min。采用本发明能够获得晶体微缺陷极少、几何参数高度精密的IGBT用8英寸硅衬底抛光片。
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公开(公告)号：CN112831829A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011609839.7
申请日：2020-12-29
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种直拉硅单晶收尾阶段单晶收放趋势的判断方法，包括以下步骤：(1)按照所生产单晶直径的1‑1.3倍预算出收尾长度，结合勾股定理算出收尾的两个角度为63°和69°，根据两个角度分别计算不同长度段内的重量随长度变化斜率，绘制出理论重量随长度变化曲线图；(2)通过单晶炉客户端获得收尾部分任意位置A和重量B；通过单晶炉客户端获得收尾部分位置A下的位置C和重量D；计算位置A到位置C的重量随着长度的变化斜率α＝(D‑B)/(C‑A)；(3)将理论重量随长度变化曲线图划分成提高拉速区、拉速维持区、降低拉速区，将α放入理论重量随长度变化曲线图中，实时调节拉速。采用本发明能够及时有效的判断出单晶收放趋势，正确的调节拉速，提高单晶的完好率。
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公开(公告)号：CN112705514A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011642858.X
申请日：2020-12-31
申请人： 有研半导体材料有限公司 , 山东有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于APCVD的履带线下清洗的装置和方法。该装置包括：间隔设置的两个履带轮、用于固定履带轮的支架、清洗槽和履带驱动装置；清洗槽设置在两个履带轮之间的位置，清洗槽上安装有超声装置；在清洗槽内设有重锤，用于将履带压入清洗槽内的清洗液面以下；履带驱动装置包括由电机驱动的驱动齿轮、通过传送皮带与驱动齿轮连接的从动齿轮，从动齿轮与所述两个履带轮中的一个连接并带动该履带轮转动。采用本发明的装置能够对背封设备APCVD背封炉的履带进行更深层次的清理和维护，对履带起到更好的清洁作用，提高履带使用寿命，更好的保护履带，降低成本。采用本发明的装置对履带进行清洗，能够提高产品质量，增大效益。
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公开(公告)号：CN116140302B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202211534968.3
申请日：2022-12-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法，A、停炉取晶后二次氧化；B、调整吸尘器吸力；C、清理抽气管道：两位工作人员，其中一人为第一人，另外一人为第二人；将该炉体内热场保温部分抬出，露出该第一分管道、第二分管道、第三分管道和第四分管道的顶部开口，并使用金属堵头封堵；分别依次清理第一主管道、第一分管道、第一主管道、第二分管道、第一主管道、第二主管道、第三分管道、第二主管道、第四分管道、第二主管道。清理各个管道时，需要确认其他的管道端口处于关闭状态，只能打开当前需要清理的管道口进行清理。本发明可以避免在清理含有红磷元素的氧化硅粉尘挥发物时，发生爆燃、自燃等危险现象，从而达到使用红磷掺杂元素安全生产的目的。
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公开(公告)号：CN118380308A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410516328.2
申请日：2024-04-25
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种处理硅衬底激光打标损伤的方法。该方法包括以下步骤：(1)切片后进行激光刻字；(2)刷洗，并进行一次清洗；(3)进行硅片表面研磨，并进行超声清洗，研磨总压力控制在800±200kg；(4)在一定旋转速率下进行腐蚀，然后进行超声清洗，用浓度为45％±5％的氢氧化钠溶液完成腐蚀，旋转速率25±5r/min；后续完成正常抛光、清洗工序。根据本发明的方法，在不影响激光打标目视读取的前提下，通过清洗、研磨、腐蚀，将激光打标造成的孔洞周围烧结的硅粉烧结物和残留在硅片表面的硅粉有效去除，提高硅抛光片的TIR和STIR等表面几何参数以及颗粒品质，从而满足IC制造中更高精度的光刻制程，进而满足高品质轻掺硅片的制备需求。
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公开(公告)号：CN114318513B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202111680189.X
申请日：2021-12-30
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝(W2‑W1)/(B‑A)、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝(W3‑W2)/(C‑B)；率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；(3)比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；(4)随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。(2)通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化
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公开(公告)号：CN117238752A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311498465.X
申请日：2023-11-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于消除半导体抛光片表面色斑的装置与方法，属于半导体材料加工领域。该装置具备：反应室、紫外光源组件、臭氧循环系统以及旋转机构；其中，反应室由上反射板、下反射板及反射腔室组成，上反射板和下反射板分别与反应腔室侧壁密封连接，在反射腔室侧壁的上部和下部分别通过气密阀经密封管路与臭氧循环系统连接；紫外光源组件包括设置在反应室内的紫外光源阵列以及控制照射光强度与时间的紫外光功率控制器；旋转机构包括花篮卡台、驱动电机、滚轴，所述滚轴设置在花篮卡台上，并与花篮内的抛光片的边缘摩擦接触；所述驱动电机驱动滚轴转动从而带动抛光片旋转。该方法通过紫外线阵列及臭氧循环去除抛光片表面的色斑。
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