公开(公告)号：CN108807499A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810392064.9

申请日：2018-04-27

Applicant: 环球晶圆股份有限公司

Inventor： 刘嘉哲 ,  黄彦纶 ,  林嫚萱

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/365 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/0684 ,  H01L21/02573

Abstract: 一种异质结构包括衬底；设置在所述衬底上的中间层；以及III‑V族层，所述III‑V族层具有设置在所述中间层上的第一主表面和掺杂剂浓度，其中在沿着从第一主表面贯穿整个所述层的厚度而终止于第二主表面之前的生长方向上，所述掺杂剂浓度以包括多个缓变的方式变化，所述多个缓变有掺杂剂浓度升高和掺杂剂浓度降低的至少一个。

公开(公告)号：CN106158951A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610319639.5

申请日：2016-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 畠中奖 ,  山口晴央

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/04 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/7784

Abstract: 本发明得到一种化合物半导体装置，其能够通过简单的构造抑制杂质扩散，实现特性提高及稳定生产。在衬底(1)之上依次设置有：缓冲层(2)、第1载流子供给层(3)、第1间隔层(4)、沟道层(5)、第2间隔层(6)、第2载流子供给层(7)及接触层(9)。第1载流子供给层(3)是杂质均匀地掺杂的均匀掺杂层。第2载流子供给层(7)是杂质局部地掺杂的平面掺杂层。在缓冲层(2)和第1间隔层(4)之间、及第2间隔层(6)和接触层(9)之间，没有设置电阻值比第1及第2间隔层(4、6)高的Al混晶层。

公开(公告)号：CN106057882A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610107906.2

申请日：2016-02-26

Applicant: 环球晶圆股份有限公司

Inventor： 胡铭显 ,  孙健仁 ,  李依晴 ,  徐文庆

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/778 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明提供一种半导体组件，包含一基板、一初始层及一缓冲堆栈结构。初始层设置于基板之上且包含氮化铝。缓冲堆栈结构设置于初始层之上，缓冲堆栈结构包含多个基层及至少一掺杂层设置于相邻二层基层之间，基层包含氮化铝镓，掺杂层包含氮化铝镓或氮化硼铝镓。在缓冲堆栈结构之中，基层的铝浓度渐减且镓浓度渐增，基层实质上不含碳，掺杂层的掺质为碳或铁。本发明不仅提升半导体组件的崩溃电压，且一并兼顾半导体组件的整体翘曲，避免在完成磊晶制程后的冷却过程，半导体组件因过度翘曲而破裂。

公开(公告)号：CN103125014A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201180046652.3

申请日：2011-09-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·安德森 ,  J·福莫佩林 ,  C·玛奇里奥 ,  D·J·韦布

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/51 ,  H01L29/36 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01L29/105 ,  H01L29/165 ,  H01L29/365 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及一种包括栅极堆叠结构(1)的半导体器件，栅极堆叠结构(1)包括：至少衬底(10)，包括基本上由n型载流子掺杂的半导体；包括硅的至少钝化层(12)，形成于衬底(10)上，以及至少绝缘体层(13)，形成于钝化层(12)上，其中栅极堆叠结构(1)还包括：在衬底(10)与钝化层(12)之间提供的至少层间掺杂剂，层间掺杂剂包括被选择用于在半导体器件在使用时有助于控制适用于栅极堆叠结构(1)的阈值电压的n型掺杂剂(11)。

公开(公告)号：CN103050376A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210057500.X

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耀文 ,  蔡正原 ,  林杏莲

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/792 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的系统和方法。一个实施例包括采用原子层沉积(ALD)工艺形成沉积层。ALD工艺可以利用第一前体并持续第一时间周期；第一清除并持续比第一时间周期更长的第二时间周期；第二前体并持续比第一时间周期更长的第三时间周期；以及第二清除并持续比第三时间周期更长的第四时间周期。本发明还公开了沉积材料及形成方法。

公开(公告)号：CN102939654A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180029702.7

申请日：2011-06-15

Applicant: 加州理工学院

Inventor： 迈克尔·E·霍恩克

IPC: H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1464 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/365

Abstract: 半导体器件具有多层掺杂以通过量子排斥提供改善的钝化。多层掺杂包括数量为M的多个掺杂层，其中M是大于1的整数。M个掺杂层中的掺杂剂片密度不需要相同，但在原理上可被选取为具有相同的片密度或不同的片密度。设置在M个掺杂层之间的M-1个交错层没有被特意掺杂（也称为“未掺杂层”）。具有M=2、M=3和M=4的结构已被展示并表现出改善的钝化。

公开(公告)号：CN102017160A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114639.X

申请日：2009-04-21

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 乌梅什·米什拉 ,  罗伯特·科菲 ,  申立坤 ,  伊兰·本-雅各布 ,  普里米特·帕里克

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788

Abstract: 本发明提供了一种Ⅲ-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。

公开(公告)号：CN100459171C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN02821189.8

申请日：2002-10-08

Applicant: 克里公司

Inventor： S·斯里拉姆

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/8128 ,  H01L29/242 ,  H01L29/365

Abstract: 本发明提供一种金属半导体场效应晶体管(MESFET)的单元。MESFET的单元包括具有源(13)、漏(17)和栅(24)的德尔塔掺杂的碳化硅MESFET。栅(24)位于源(13)和漏(17)之间并延伸进入第一导电类型掺杂的沟道层(16)。邻近源(13)和漏(17)的碳化硅区域分别在源(13)和栅与漏(17)和栅(24)之间延伸。碳化硅区域具有比掺杂的沟道层(16)的载流子浓度更高的载流子浓度并被隔开以远离栅(24)。

公开(公告)号：CN100375292C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03807131.2

申请日：2003-03-19

Applicant: 克利公司

Inventor： 杰斯里斯·S·弗林 ,  乔治·R·布兰德斯

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L33/025 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种包括δ掺杂层(24)和/或掺杂超晶格的Ⅲ－Ⅴ族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法，其包括步骤：通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料；终止在基片上沉积半导体材料以给出外延膜表面；在外延膜表面上对半导体材料进行δ掺杂，以在其上形成δ掺杂层；终止δ掺杂；在第二外延膜生长过程中，重新开始半导体材料的沉积以在δ掺杂层上沉积半导体材料；和继续半导体材料的第二外延膜生长过程到预先确定的程度，以形成掺杂的微电子器件结构，其中δ掺杂层(24)内化在第一、第二外延膜生长过程中沉积的半导体材料中。

公开(公告)号：CN1349663A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN00807221.3

申请日：2000-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  楠本修 ,  北畠真 ,  上野山雄

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上,交互、叠层生长厚度50nm左右的未掺杂层22和厚度薄到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n型掺杂层23、形成有源区30。因n型掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到未掺杂层22上,由于在杂质少的未掺杂层22中杂质散射减少,能够得到高的载流子迁移率,与此同时,当有源区全体耗尽化时,利用载流子从有源区30消失的现象,因未掺杂层22能够得到大的耐压值。