公开(公告)号：CN103918069B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280049496.0

申请日：2012-10-05

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 拉柯许·K·拉尔 ,  罗伯特·科菲 ,  吴毅锋 ,  普里米特·帕里克 ,  尤瓦扎·多拉 ,  乌梅什·米什拉 ,  斯拉班缇·乔杜里 ,  尼古拉斯·费希滕鲍姆

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。

公开(公告)号：CN102754206A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009225.8

申请日：2011-02-02

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 普里米特·帕里克 ,  詹姆斯·霍尼亚 ,  小卡尔·C·布莱克 ,  罗伯特·科菲 ,  吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉

IPC: H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0883 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/642 ,  H01L23/647 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0605 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。

公开(公告)号：CN101897029A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120050.6

申请日：2008-11-26

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 徐昌秀 ,  伊兰·本-雅各布 ,  罗伯特·科菲 ,  乌梅什·米什拉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7781

Abstract: 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。

公开(公告)号：CN103262244A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059979.4

申请日：2011-12-08

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 乌梅什·米什拉 ,  斯拉班缇·乔杜里

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶体管器件，包括：源极、栅极、漏极；包括在源极和漏极之间的栅极区的半导体材料；在栅极的任一侧的半导体材料中的多个沟道接入区；半导体材料中的在栅极区和沟道接入区中具有有效宽度的沟道；以及栅极区中的隔离区。隔离区用于在基本上不降低沟道在接入区中的有效宽度的情况下降低沟道在栅极区中的有效宽度。作为替代，隔离区可被构造成收集晶体管器件中产生的空穴。隔离区可同时实现上述两种功能。

公开(公告)号：CN102017160B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980114639.X

申请日：2009-04-21

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 乌梅什·米什拉 ,  罗伯特·科菲 ,  申立坤 ,  伊兰·本-雅各布 ,  普里米特·帕里克

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788

Abstract: 本发明提供了一种III-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。

公开(公告)号：CN102714219A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080056241.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 储荣明 ,  乌梅什·米什拉 ,  拉柯许·K·拉尔

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06183 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述了一种III族氮化物器件，其包括III-氮化物层的堆叠、钝化层和导电接触。该堆叠包括具有2DEG沟道的沟道层、势垒层以及间隔层。一个钝化层在与沟道层相反的一侧上直接接触间隔层的表面并且是电绝缘体。III-氮化物层的堆叠和第一钝化层形成具有邻近第一钝化层的反侧和邻近势垒层的正侧的结构。另一钝化层位于该结构的正侧上。可以部分或整体地移除在形成工艺期间形成缓冲层的有缺陷的成核和应力管理层。

公开(公告)号：CN101897029B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN200880120050.6

申请日：2008-11-26

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 徐昌秀 ,  伊兰·本-雅各布 ,  罗伯特·科菲 ,  乌梅什·米什拉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7781

Abstract: 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。

公开(公告)号：CN102308390B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200980156127.X

申请日：2009-12-03

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉 ,  普里米特·帕里克 ,  储荣明 ,  伊兰·本-雅各布 ,  申立坤

IPC: H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN103918069A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280049496.0

申请日：2012-10-05

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 拉柯许·K·拉尔 ,  罗伯特·科菲 ,  吴毅锋 ,  普里米特·帕里克 ,  尤瓦扎·多拉 ,  乌梅什·米什拉 ,  斯拉班缇·乔杜里 ,  尼古拉斯·费希滕鲍姆

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。

公开(公告)号：CN103493206A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280014875.6

申请日：2012-01-30

Applicant: 特兰斯夫公司

Inventor： 普里米特·帕里克 ,  尤瓦扎·多拉 ,  吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉 ,  尼古拉斯·费希滕鲍姆

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76254 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/30 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了一种III-N器件，其具有III-N层、在所述III-N层上的电极、与所述III-N层和电极相邻的钝化层、与所述钝化层和电极相邻的厚绝缘层、能够将显著热量从所述III-N器件转移出去的高导热性载体以及在所述厚绝缘层与所述载体之间的粘合层。所述粘合层将所述厚绝缘层连接于所述载体。所述厚绝缘层可以具有精确控制的厚度并且是导热的。