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公开(公告)号：CN109690738A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055108.2
申请日：2017-08-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种外延硅晶片的制造方法，其包括：预先准备试验用的硅晶片，在该试验用的硅晶片的表面形成所述多层膜，并测定形成了该多层膜的硅晶片的翘曲方向及翘曲量(Warp)W的工序；以及以使在与所述测定的翘曲方向相反的方向上形成有将所述测定的翘曲量W抵消的翘曲的方式，选择作为器件形成用基板的硅晶片、和在该作为器件形成用基板的硅晶片上形成的外延层的形成条件，并在所述选择的外延层的形成条件下在所述选择的作为器件形成用基板的硅晶片的形成所述多层膜的表面上形成所述外延层的工序。由此，提供一种外延硅晶片的制造方法，其能够制造使形成多层膜时的翘曲减少的外延硅晶片。
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公开(公告)号：CN109690738B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201780055108.2
申请日：2017-08-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种外延硅晶片的制造方法，其包括：预先准备试验用的硅晶片，在该试验用的硅晶片的表面形成所述多层膜，并测定形成了该多层膜的硅晶片的翘曲方向及翘曲量(Warp)W的工序；以及以使在与所述测定的翘曲方向相反的方向上形成有将所述测定的翘曲量W抵消的翘曲的方式，选择作为器件形成用基板的硅晶片、和在该作为器件形成用基板的硅晶片上形成的外延层的形成条件，并在所述选择的外延层的形成条件下在所述选择的作为器件形成用基板的硅晶片的形成所述多层膜的表面上形成所述外延层的工序。由此，提供一种外延硅晶片的制造方法，其能够制造使形成多层膜时的翘曲减少的外延硅晶片。
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公开(公告)号：CN111801782B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201980015883.4
申请日：2019-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，以1.1×1011×[注入元素原子量]‑0.73
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公开(公告)号：CN107615470B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680029132.4
申请日：2016-03-07
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/66 , C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：用PL测量装置测量镜面晶片的光致发光(PL)光谱，并调整PL测量装置以使TO线的发光强度为30000～50000计数的工序；对硅外延晶片照射电子束的工序；用调整过的PL测量装置测量来自电子束照射区域的PL光谱的工序；以及将PL光谱的CiCs缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的0.83％以下、CiOi缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的6.5％以下的硅外延晶片筛选为合格的工序。由此，提供一种硅外延晶片的制造方法，其能够筛选出在使用硅外延晶片制造摄像器件的情况下白瑕疵不良不成问题的等级的硅外延晶片。
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公开(公告)号：CN111801782A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980015883.4
申请日：2019-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，以1.1×1011×[注入元素原子量]‑0.73
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103918058B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280045093.9
申请日：2012-08-21
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01B11/306 , G01B21/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L22/20
Abstract: 本发明是一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，并使外延层生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。由此，提供一种预先计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，进而提供一种通过使用该计算方法制造具有所期望的翘曲的贴合SOI晶片的方法。
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公开(公告)号：CN118043947A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280064800.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在该吸杂外延膜上形成硅外延膜。由此，提供一种低成本且低污染的含有碳的外延片及用以制造该外延片的方法。
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公开(公告)号：CN110678964A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880034863.7
申请日：2018-05-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/322
Abstract: 本发明为一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，使用SiH4气体，形成与所述原子层相接的外延层。由此，能够提供一种可在外延层中稳定地导入氧等的原子层的制造外延片的方法。
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公开(公告)号：CN107615470A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029132.4
申请日：2016-03-07
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/66 , C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：用PL测量装置测量镜面晶片的光致发光(PL)光谱，并调整PL测量装置以使TO线的发光强度为30000～50000计数的工序；对硅外延晶片照射电子束的工序；用调整过的PL测量装置测量来自电子束照射区域的PL光谱的工序；以及将PL光谱的CiCs缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的0.83％以下、CiOi缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的6.5％以下的硅外延晶片筛选为合格的工序。由此，提供一种硅外延晶片的制造方法，其能够筛选出在使用硅外延晶片制造摄像器件的情况下白瑕疵不良不成问题的等级的硅外延晶片。
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公开(公告)号：CN103918058A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280045093.9
申请日：2012-08-21
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01B11/306 , G01B21/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L22/20
Abstract: 本发明是一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，并使外延层生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。由此，提供一种预先计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，进而提供一种通过使用该计算方法制造具有所期望的翘曲的贴合SOI晶片的方法。
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