公开(公告)号：CN110574141A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880027263.8

申请日：2018-02-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，其具有使用批处理式离子注入机的离子注入工序，该方法特征在于，向接合晶圆进行离子注入的离子注入工序未在接合晶圆的表面形成绝缘膜，或是通过形成于接合晶圆表面的厚度为50nm以下的绝缘膜，并且相对于接合晶圆的结晶轴使注入角度倾斜来照射轻元素离子束，以轻元素离子束的中心向从接合晶圆的中心起在接合晶圆的表面的与旋转体的中心方向平行的方向上偏移了规定量的位置照射的方式，向接合晶圆的全表面照射所述轻元素离子束来进行离子注入。由此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，其能够抑制离子注入深度的面内均一性的恶化，并能够制造剥离后的薄膜厚度的面内均一性优异的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN105474358B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480045780.X

申请日：2014-07-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  加藤正弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种贴合晶圆的制造方法，其使用具有切口部的晶圆作为接合晶圆和基底晶圆，在离子注入时，设定进行离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者，使得在接合晶圆的剥离时，使已贴合的接合晶圆和基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置，位于从接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内。由此，能提供一种贴合晶圆的制造方法，在利用离子注入剥离法来形成SOI层等薄膜时，能够降低在刚剥离后的薄膜表面上所产生的巨大断层缺陷的可能性。

公开(公告)号：CN103563049B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280026001.2

申请日：2012-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功 ,  能登宜彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明是一种贴合晶片的制造方法，该贴合晶片的制造方法具有：使用了分批式离子注入器的离子注入工序；将键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面直接或隔着绝缘膜贴合的贴合工序；以及通过在离子注入层剥离键合晶片而制作在衬底晶片上具有薄膜的贴合晶片的剥离工序，上述贴合晶片的制造方法其特征是，分多次进行对于离子注入工序中的键合晶片的离子注入，且每次注入离子后使键合晶片仅自转规定的旋转角度，并在已自转的配置位置进行下一个离子注入。由此，提供一种能够以大量生产水平制造提高了衬底晶片上的薄膜尤其SOI层的膜厚均匀性的贴合晶片的贴合晶片的制造方法。

公开(公告)号：CN104956464A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380071248.0

申请日：2013-12-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  横川功 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明涉及一种制作SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在离子注入层剥离接合晶圆。由此，能够提供一种SOI层膜厚范围小，SOI层表面的表面粗糙度小，平台部形状平滑，并且SOI层没有空隙、泡等缺陷的SOI晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN100403543C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN115516608A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180032683.7

申请日：2021-04-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  横川功

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明是一种SOI晶圆的制造方法，其具有通过湿蚀刻进行SOI晶圆的SOI层的膜厚调整的工序，其特征在于，在进行SOI层的膜厚调整的工序中，组合以下两个步骤来进行：第1蚀刻步骤，使用SC1溶液进行SOI层的表面的蚀刻；以及第2蚀刻步骤，通过使所述SOI层接触臭氧水而在SOI层的表面形成氧化膜，再使所形成的氧化膜接触含HF水溶液以去除氧化膜，而进行SOI层的表面的蚀刻，以第1蚀刻步骤中的SOI层的加工余量比第2蚀刻步骤中的SOI层的加工余量少的方式，进行第1蚀刻步骤及第2蚀刻步骤的蚀刻。由此，能够提供一种SOI晶圆的制造方法，其在SOI膜厚调整中，能够兼顾控制蚀刻加工余量和实现SOI膜厚的优异的面内均匀性。

公开(公告)号：CN104025254A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065462.0

申请日：2012-11-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司 ,  横川功 ,  石塚徹 ,  加藤正弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明是一种制造SOI晶片的方法，该方法具有对于剥离后的贴合SOI晶片，进行第一快速热退火处理之后进行第一牺牲氧化处理，其后，进行第二快速热退火处理之后进行第二牺牲氧化处理的工序，在含有氢气的气氛下以1100℃以上的温度进行上述第一和第二快速热退火处理，在上述第一和第二牺牲氧化处理中，通过以900℃以上且1000℃以下的温度仅进行利用分批式热处理炉的热氧化而在上述SOI层表面形成热氧化膜之后，进行去除该热氧化膜的处理，从而制造贴合SOI晶片。由此，提供一种能够制造具有所期望的膜厚和优良的膜厚分布的SOI层的贴合SOI晶片的方法，该方法在利用离子注入剥离法的贴合SOI晶片的制造中，能够改进剥离后的SOI层的表面粗糙度，并且能够抑制滑移位错和缺陷的发生。

公开(公告)号：CN1599958A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN110024080A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780073727.4

申请日：2017-11-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种SOI晶圆的制造方法，包含以下步骤：通过硅氧化膜将同样由硅晶圆构成的接合晶圆及基底晶圆贴合的步骤；以及薄膜化接合晶圆的步骤，而在贴合步骤前，还包含：以亲水性的洗净液洗净两晶圆的步骤；以及通过吸引干燥或旋转干燥将洗净后的两晶圆干燥的步骤，其中，在干燥步骤结束后至开始贴合步骤为止的期间，保管两晶圆直到进行贴合步骤时的贴合速度变为20mm/秒以下为止，并且在贴合速度为20mm/秒以下的状态进行贴合。由此，提供能以简便的方法抑制外缘微小孔洞产生，而制造SOI晶圆的SOI晶圆制造方法。

公开(公告)号：CN104956464B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380071248.0

申请日：2013-12-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  横川功 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明涉及一种制作SOI晶圆的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在离子注入层剥离接合晶圆。由此，能够提供一种SOI层膜厚范围小，SOI层表面的表面粗糙度小，平台部形状平滑，并且SOI层没有空隙、泡等缺陷的SOI晶圆的制造方法。