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公开(公告)号：CN1599958A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824295.5
申请日：2002-11-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。
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公开(公告)号：CN100419960C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN03818188.6
申请日：2003-07-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/76224 , H01L21/76254
Abstract: 为了对应所需的SOI层(5)的厚度，调整上述结合单晶硅薄膜(15)的厚度，通过离子注入的能量，调整上述剥离用离子注入层形成步骤中的剥离用离子注入层(4)的由离子注入表面(J)开始的形成深度(d1+tx)。然后，上述剥离用离子注入层(4)由离子注入表面(J)开始的形成深度越小，上述离子注入的剂量设定得越小。如果剂量减小，则剥离面的面粗糙度也减小，可将平坦化步骤的结合单晶硅薄膜的剥离面的研磨量设定得较小。其结果是，在形成较薄的SOI层的时候，可提高SOI层的膜厚度均匀性。由此，提供下述SOI晶片的制造方法，该方法即使在SOI层的要求膜厚的等级非常小的情况下，仍可将晶片内的膜厚均匀性和晶片之间的膜厚度均匀性这两者减小到足够小的程度。
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公开(公告)号：CN1326247C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN02823371.9
申请日：2002-11-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/02052 , H01L21/304 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32，即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。
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公开(公告)号：CN1502135A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02807889.6
申请日：2002-03-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片及其制造方法，该SOI晶片是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为：发生在SOI晶片边缘部的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm，而且利用LPD检查所检测出的存在于SOI层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm2以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，抑制剥离时所发生的SOI岛的产生，并且降低SOI晶片表面所存在的LPD缺陷密度的SOI晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。
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公开(公告)号：CN100517724C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN02807889.6
申请日：2002-03-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种SOI晶片及其制造方法，该SOI晶片是利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，其特征为：发生在SOI晶片边缘部的基片表面外露的平台部的SOI岛区域宽度小于1mm，而且利用LPD检查所检测出的存在于SOI层表面的尺寸为0.19μm以上的凹坑状缺陷的密度，在1counts/cm2以下。因此，可提供一种利用离子注入剥离法所制作的SOI晶片，抑制剥离时所发生的SOI岛的产生，并且降低SOI晶片表面所存在的LPD缺陷密度的SOI晶片及其制造方法，而且可减少器件不良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454552C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN02802464.8
申请日：2002-07-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , Y10S438/977
Abstract: 本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。
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公开(公告)号：CN100403543C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02824295.5
申请日：2002-11-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/045
Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。
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公开(公告)号：CN101331585B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680047234.5
申请日：2006-11-27
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 三谷清
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是提供一种贴合基板的制造方法，是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法，其特征是具备：第一制程，是在前述有源层用晶圆的表面，沿着外周部，在整个圆周的内侧，设置沟槽；第二制程，是以设置有前述沟槽的面作为贴合面，来贴合前述有源层用晶圆与前述支撑基板用晶圆；及第三制程，是将前述有源层用晶圆薄膜化，并除去前述有源层用晶圆的沟槽外侧的未结合部分。以此，能提提供一种贴合基板的制造方法，在薄膜化有源层用晶圆时，能够将制程简略化，且能够防止破裂或缺损、产生灰尘等，并能够管理有源层用晶圆的边缘部的形状。
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公开(公告)号：CN1672261A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818188.6
申请日：2003-07-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/76224 , H01L21/76254
Abstract: 为了对应所需的SOI层(5)的厚度，调整上述结合单晶硅薄膜(15)的厚度，通过离子注入的能量，调整上述剥离用离子注入层形成步骤中的剥离用离子注入层(4)的由离子注入表面(J)开始的形成深度(dl+tx)。然后，上述剥离用离子注入层(4)由离子注入表面(J)开始的形成深度越小，上述离子注入的剂量设定得越小。如果剂量减小，则剥离面的面粗糙度也减小，可将平坦化步骤的结合单晶硅薄膜的剥离面的研磨量设定得较小。其结果是，在形成较薄的SOI层的时候，可提高SOI层的膜厚度均匀性。由此，提供下述SOI晶片的制造方法，该方法即使在SOI层的要求膜厚的等级非常小的情况下，仍可将晶片内的膜厚均匀性和晶片之间的膜厚度均匀性这两者减小到足够小的程度。
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公开(公告)号：CN1592970A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02823371.9
申请日：2002-11-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/02052 , H01L21/304 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32，即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。
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