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公开(公告)号：CN108666259A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810201351.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 技术问题：本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，在将外延晶圆用于接合晶圆或者基底晶圆的情况下，能够制造平台宽度较小的贴合晶圆。解决手段：一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子从而在晶圆内部形成离子注入层，直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后，通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离，从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，作为所述接合晶圆和所述基底晶圆的至少一方而使用外延晶圆，并通过单晶圆旋转清洗来进行该外延晶圆的形成外延层前的清洗。
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公开(公告)号：CN105264641B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201480028918.5
申请日：2014-03-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02329 , H01L21/187 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/6835 , H01L27/1203
Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。
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公开(公告)号：CN104025254A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065462.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/30604 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种制造SOI晶片的方法，该方法具有对于剥离后的贴合SOI晶片，进行第一快速热退火处理之后进行第一牺牲氧化处理，其后，进行第二快速热退火处理之后进行第二牺牲氧化处理的工序，在含有氢气的气氛下以1100℃以上的温度进行上述第一和第二快速热退火处理，在上述第一和第二牺牲氧化处理中，通过以900℃以上且1000℃以下的温度仅进行利用分批式热处理炉的热氧化而在上述SOI层表面形成热氧化膜之后，进行去除该热氧化膜的处理，从而制造贴合SOI晶片。由此，提供一种能够制造具有所期望的膜厚和优良的膜厚分布的SOI层的贴合SOI晶片的方法，该方法在利用离子注入剥离法的贴合SOI晶片的制造中，能够改进剥离后的SOI层的表面粗糙度，并且能够抑制滑移位错和缺陷的发生。
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公开(公告)号：CN104115255A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280067455.4
申请日：2012-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/2253 , H01L21/2255 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/3247
Abstract: 本发明是一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平坦化，其后，进行牺牲氧化处理而调整上述SOI层的膜厚。由此，提供一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法能够有效地制造具有充分降低了SOI层表面的表面粗糙度且减少了SOI层表面的较深的凹坑的高质量的SOI层的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN104885190B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380064933.0
申请日：2013-11-07
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/265 , H01L21/76251 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入，形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，在该SOI晶圆的制造方法中，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。由此，提供一种能够制造擦痕及SOI膜厚异常被抑制的SOI晶圆的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104115255B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280067455.4
申请日：2012-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/2253 , H01L21/2255 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/3247
Abstract: 本发明是一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平坦化，其后，进行牺牲氧化处理而调整上述SOI层的膜厚。由此，提供一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法能够有效地制造具有充分降低了SOI层表面的表面粗糙度且减少了SOI层表面的较深的凹坑的高质量的SOI层的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN103875061B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280050352.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02087 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。
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公开(公告)号：CN104885190A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380064933.0
申请日：2013-11-07
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/265 , H01L21/76251 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入，形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，在该SOI晶圆的制造方法中，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。由此，提供一种能够制造擦痕及SOI膜厚异常被抑制的SOI晶圆的方法。
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公开(公告)号：CN104603910A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045827.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/26533 , H01L21/31105
Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有如下工序：在贴合前，至少在接合晶圆的整个表面形成绝缘膜，在保护接合晶圆的与贴合面相反侧的背面的绝缘膜的同时，通过使在离子注入层剥离接合晶圆之前的贴合晶圆接触可溶解绝缘膜的液体，或者暴露在可溶解绝缘膜的气体中，将位于接合晶圆与基底晶圆之间的绝缘膜从贴合晶圆的外周端向中心方向蚀刻。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其在接合晶圆上形成绝缘膜进行贴合时，在控制平台的宽度，并防止产生SOI岛的同时，能够抑制擦痕及SOI膜厚分布异常。
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公开(公告)号：CN103875061A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050352.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02087 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。
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