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公开(公告)号：CN115461194B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202180030765.8
申请日：2021-03-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/12 , B24B37/20 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种双面研磨装置的研磨垫粘贴方法，将下平台用研磨垫粘贴在下平台上后，以通过下平台的半径方向的中心部的方式将环状临时黏贴用板载置在研磨垫上，在临时黏贴用板上将上平台用研磨垫的粘贴面与上平台相对配置，对双面研磨机施加载荷，用上下平台夹住临时黏贴用板，仅对临时黏贴用板部分进行压接，在上平台用研磨垫及下平台用研磨垫的半径方向中心部分形成环状粘贴部后，卸下临时黏贴用板，将研磨垫粘贴装置的压接部配置于粘贴部并用上下平台夹住，使压接部上下同时从粘贴部在半径方向上移动，从而一边将上平台与上平台用研磨垫之间及下平台与下平台用研磨垫之间的空气排除，一边将上平台用研磨垫及下平台用研磨垫分别压接于上下平台。由此，提供能够同时进行空气排除与压接并且能够进行正确的粘贴的双面研磨装置的研磨垫粘贴方法。
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公开(公告)号：CN108025418A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054094.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/00 , B24B53/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/00 , B24B37/08 , B24B37/107 , B24B53/00 , B24B53/017 , B24B53/12 , H01L21/67092
Abstract: 本发明提供一种研磨垫的调节方法，对于研磨垫使用调节头而调节，研磨垫用于研磨贴附于可旋转的圆盘状的平板的晶圆，调节方法包含：通过旋转平板而旋转贴附于平板的研磨垫的同时，于平板的半径方向移动调节头而实施调节，以及因应调节头的自平板的中心的距离而控制平板的转数以及调节头的于平板的半径方向的移动速度。通过此研磨垫的调节方法可对研磨垫的研磨面的全表面进行适当的调节。
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公开(公告)号：CN107148666A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201680004879.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/24
Abstract: 本发明提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光，接着，通过假抛光进行去除蓄积于抛光布中的抛光残渣的处理，接着，测定抛光布中的抛光残渣量，且基于所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。由此，能改善抛光布寿命初期的微粒等级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115461194A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030765.8
申请日：2021-03-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/12 , B24B37/20 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种双面研磨装置的研磨垫粘贴方法，将下平台用研磨垫粘贴在下平台上后，以通过下平台的半径方向的中心部的方式将环状临时黏贴用板载置在研磨垫上，在临时黏贴用板上将上平台用研磨垫的粘贴面与上平台相对配置，对双面研磨机施加载荷，用上下平台夹住临时黏贴用板，仅对临时黏贴用板部分进行压接，在上平台用研磨垫及下平台用研磨垫的半径方向中心部分形成环状粘贴部后，卸下临时黏贴用板，将研磨垫粘贴装置的压接部配置于粘贴部并用上下平台夹住，使压接部上下同时从粘贴部在半径方向上移动，从而一边将上平台与上平台用研磨垫之间及下平台与下平台用研磨垫之间的空气排除，一边将上平台用研磨垫及下平台用研磨垫分别压接于上下平台。由此，提供能够同时进行空气排除与压接并且能够进行正确的粘贴的双面研磨装置的研磨垫粘贴方法。
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公开(公告)号：CN108025418B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201680054094.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/00 , B24B53/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/00 , B24B37/08 , B24B37/107 , B24B53/00 , B24B53/017 , B24B53/12 , H01L21/67092
Abstract: 本发明提供一种研磨垫的调节方法，对于研磨垫使用调节头而调节，研磨垫用于研磨贴附于可旋转的圆盘状的平板的晶圆，调节方法包含：通过旋转平板而旋转贴附于平板的研磨垫的同时，于平板的半径方向移动调节头而实施调节，以及因应调节头的自平板的中心的距离而控制平板的转数以及调节头的于平板的半径方向的移动速度。通过此研磨垫的调节方法可对研磨垫的研磨面的全表面进行适当的调节。
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公开(公告)号：CN107148666B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680004879.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/67 , G01N23/223 , B24B37/00 , B24B37/24
Abstract: 本发明提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光，接着，通过假抛光进行去除蓄积于抛光布中的抛光残渣的处理，接着，测定抛光布中的抛光残渣量，且基于所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。由此，能改善抛光布寿命初期的微粒等级。
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公开(公告)号：CN103875061B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280050352.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02087 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。
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公开(公告)号：CN103875061A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050352.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02087 , H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种剥离晶片的再生加工方法，该方法对于制作贴合晶片时所副产的剥离晶片进行再生研磨，而能够再次作为键合晶片或衬底晶片利用，上述剥离晶片的再生加工方法在上述再生研磨中，在上述剥离晶片的剥离面上未形成有氧化膜且在与上述剥离面相反的背面上形成有氧化膜的状态下，利用双面研磨机研磨该剥离晶片。由此，提供一种剥离晶片的再生加工方法，该方法以较少的加工余量对于通过离子注入剥离法制造贴合晶片时所副产的剥离晶片进行能够足以提高平坦度等品质的再生研磨，从而能够做成高品质的再利用晶片。
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