-
公开(公告)号：CN100401483C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200410045706.6
申请日：2004-05-21
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/306 , H01L21/205
Abstract: 在自掺杂现象、颗粒以及裂纹的产生受到抑制的状态下，保持较高的生长速度在单晶硅基片的主表面上气相生长出硅外延层。作为硅外延片(1)的制造方法，首先，在单晶硅基片(10)的背面(14)形成硅氧化膜(15)。其次，将单晶硅基片(10)，以单晶硅基片(10)的背面(14)被耐腐蚀板遮盖、并且单晶硅基片(10)的外周部(16)的一部分垂直露出于液面之上的状态浸渍在氢氟酸中，以使得从单晶硅基片(10)的背面(14)至少延续到外周部(16)的最外缘(X)的外周氧化膜(110)，仅残留于外周部(16)的所述一部分上。然后，在残留的外周氧化膜(110)与基座(32)的锪孔部(33)的侧面相接触的状态下，在单晶硅基片(10)的主表面(12)上气相生长出硅外延层(13)。
-
-
公开(公告)号：CN1574247A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045706.6
申请日：2004-05-21
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/306 , H01L21/205
Abstract: 在自掺杂现象、颗粒以及裂纹的产生受到抑制的状态下，保持较高的生长速度在单晶硅基片的主表面上气相生长出硅外延层。作为硅外延片(1)的制造方法，首先，在单晶硅基片(10)的背面(14)形成硅氧化膜(15)。其次，将单晶硅基片(10)，以单晶硅基片(10)的背面(14)被遮盖、并且单晶硅基片(10)的外周部(16)的一部分露出于液面之上的状态浸渍在氢氟酸中，以使得从单晶硅基片(10)的背面(14)延续到外周部(16)的最外缘(X)的外周氧化膜(110)，仅残留于外周部(16)的局部上。然后，在残留的外周氧化膜(110)与基座(32)的锪孔部(33)的侧面相接触的状态下，在单晶硅基片(10)的主表面(12)上气相生长出硅外延层(13)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112740368B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980060791.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗方法，该晶圆收纳容器具有收纳多个晶圆的容器主体、以及经由衬垫将该容器主体的开口部密闭的盖体，该方法具有将所述容器主体中的、在所述密闭时与所述衬垫接触的部分局部地清洗的步骤。由此，提供一种晶圆收纳容器的清洗方法及晶圆收纳容器的清洗装置，其能够抑制源自衬垫的微尘(微粒)附着于收纳在晶圆收纳容器的容器主体内的晶圆表面。
-
公开(公告)号：CN116325083A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067367.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种外延晶圆的清洗方法，用于清洗正面形成有外延膜的晶圆，包括：第1清洗工序，对所述晶圆的正面、背面及端面的所有面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；第2清洗工序，在所述第1清洗工序之后，对所述晶圆的背面及端面供给清洗液，通过辊型刷进行清洗；第3清洗工序，在所述第2清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；以及第4清洗工序，在所述第3清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有HF的清洗液而进行旋转清洗。由此，提供一种外延晶圆的清洗方法，其在形成外延膜后进行，且用于在半导体器件制造程序中制造从晶圆的背面及边缘部的微粒附着为最小限度的外延晶圆。
-
公开(公告)号：CN112740368A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980060791.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆收纳容器的清洗方法，该晶圆收纳容器具有收纳多个晶圆的容器主体、以及经由衬垫将该容器主体的开口部密闭的盖体，该方法具有将所述容器主体中的、在所述密闭时与所述衬垫接触的部分局部地清洗的步骤。由此，提供一种晶圆收纳容器的清洗方法及晶圆收纳容器的清洗装置，其能够抑制源自衬垫的微尘(微粒)附着于收纳在晶圆收纳容器的容器主体内的晶圆表面。
-
公开(公告)号：CN108666259A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810201351.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 技术问题：本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，在将外延晶圆用于接合晶圆或者基底晶圆的情况下，能够制造平台宽度较小的贴合晶圆。解决手段：一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子从而在晶圆内部形成离子注入层，直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后，通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离，从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，作为所述接合晶圆和所述基底晶圆的至少一方而使用外延晶圆，并通过单晶圆旋转清洗来进行该外延晶圆的形成外延层前的清洗。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
