公开(公告)号：CN100401483C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410045706.6

申请日：2004-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 保科祐章 ,  田中纪通

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/306 ,  H01L21/205

Abstract: 在自掺杂现象、颗粒以及裂纹的产生受到抑制的状态下，保持较高的生长速度在单晶硅基片的主表面上气相生长出硅外延层。作为硅外延片(1)的制造方法，首先，在单晶硅基片(10)的背面(14)形成硅氧化膜(15)。其次，将单晶硅基片(10)，以单晶硅基片(10)的背面(14)被耐腐蚀板遮盖、并且单晶硅基片(10)的外周部(16)的一部分垂直露出于液面之上的状态浸渍在氢氟酸中，以使得从单晶硅基片(10)的背面(14)至少延续到外周部(16)的最外缘(X)的外周氧化膜(110)，仅残留于外周部(16)的所述一部分上。然后，在残留的外周氧化膜(110)与基座(32)的锪孔部(33)的侧面相接触的状态下，在单晶硅基片(10)的主表面(12)上气相生长出硅外延层(13)。

公开(公告)号：CN101271870B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810095543.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 保科祐章 ,  田中纪通

IPC: H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜，仅存在于上述外周部的局部上。

公开(公告)号：CN101271870A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810095543.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 保科祐章 ,  田中纪通

IPC: H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜，仅存在于上述外周部的局部上。

公开(公告)号：CN1574247A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045706.6

申请日：2004-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 保科祐章 ,  田中纪通

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/306 ,  H01L21/205

Abstract: 在自掺杂现象、颗粒以及裂纹的产生受到抑制的状态下，保持较高的生长速度在单晶硅基片的主表面上气相生长出硅外延层。作为硅外延片(1)的制造方法，首先，在单晶硅基片(10)的背面(14)形成硅氧化膜(15)。其次，将单晶硅基片(10)，以单晶硅基片(10)的背面(14)被遮盖、并且单晶硅基片(10)的外周部(16)的一部分露出于液面之上的状态浸渍在氢氟酸中，以使得从单晶硅基片(10)的背面(14)延续到外周部(16)的最外缘(X)的外周氧化膜(110)，仅残留于外周部(16)的局部上。然后，在残留的外周氧化膜(110)与基座(32)的锪孔部(33)的侧面相接触的状态下，在单晶硅基片(10)的主表面(12)上气相生长出硅外延层(13)。