-
公开(公告)号：CN116325083A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067367.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种外延晶圆的清洗方法，用于清洗正面形成有外延膜的晶圆，包括：第1清洗工序，对所述晶圆的正面、背面及端面的所有面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；第2清洗工序，在所述第1清洗工序之后，对所述晶圆的背面及端面供给清洗液，通过辊型刷进行清洗；第3清洗工序，在所述第2清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；以及第4清洗工序，在所述第3清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有HF的清洗液而进行旋转清洗。由此，提供一种外延晶圆的清洗方法，其在形成外延膜后进行，且用于在半导体器件制造程序中制造从晶圆的背面及边缘部的微粒附着为最小限度的外延晶圆。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
