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公开(公告)号：CN110546740A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026667.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/015
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使所述硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨，该方法的特征在于，将所述砂布的表面温度控制为所述第二研磨工序中的所述砂布的表面温度比所述第一研磨工序中的所述砂布的表面温度高2℃以上来进行所述硅晶圆的研磨。由此可提供一种兼顾了平面度(Flatness)的提高和表面粗糙度的降低的硅晶圆的研磨方法。
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公开(公告)号：CN110546740B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201880026667.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/015
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使所述硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨，该方法的特征在于，将所述砂布的表面温度控制为所述第二研磨工序中的所述砂布的表面温度比所述第一研磨工序中的所述砂布的表面温度高2℃以上来进行所述硅晶圆的研磨。由此可提供一种兼顾了平面度(Flatness)的提高和表面粗糙度的降低的硅晶圆的研磨方法。
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公开(公告)号：CN108290269B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201680064805.X
申请日：2016-10-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。
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公开(公告)号：CN108290269A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680064805.X
申请日：2016-10-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。
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