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公开(公告)号：CN104114322A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380006959.X
申请日：2013-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B53/00 , B24B53/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种晶片的双面研磨方法，该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中，并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间，并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面，且以批次方式反复进行该晶片的研磨，上述晶片的双面研磨方法其特征在于，在上述以批次方式反复进行的晶片的研磨中，将上述载具公转的方向在每一批次转换成相反的方向。由此，提供一种能够抑制修整所造成的生产率的降低且能够稳定地得到高平坦度的晶片的晶片的双面研磨方法。
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公开(公告)号：CN1535476A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02814731.6
申请日：2002-09-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/24
Abstract: 本发明是要提供一种从与习知的SFQR等不同的观点来评价晶片的形状质量所用的晶片的形状评价方法及在曝光装置产生问题少的晶片，以及可拣选具有良好质量的晶片的拣选方法。为此，本发明乃作成以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部求出遍及晶片全周的多个晶片形状轮廓(形状)，且设定要算出在各每一轮廓的基准线用的第1区域于晶片中央侧，再在该第1区域外的晶片外周侧设定第2区域，并延长在该第1区域所算出的基准线直至该第2区域为止，以分析该第2区域形状(测定值)和在第2区域内的该基准线(基准值)的差(测定值—基准值)，而算出该值的最大值作为表面特性A及最小值作为表面特性B，并从该等遍及全周所获得的多个表面特性A及表面特性B来评价晶片的外周部分形状的均匀性。
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公开(公告)号：CN108290268B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680069349.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。
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公开(公告)号：CN106061679B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201580011151.X
申请日：2015-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835
Abstract: 本发明为一种双面研磨装置用载体的制造方法，在将形成有用于支承半导体晶圆的支承孔的齿轮形的双面研磨装置用载体进行研磨加工，此发明的特征为：使双面研磨装置具有用于支承双面研磨装置用载体的洞，并备有较双面研磨装置用载体的尺寸为大的齿轮形的外载体，将外载体以洞之中心为相对于外载体的中心为偏心的方式而设置，借由将双面研磨装置用载体收纳于洞而支承双面研磨装置用载体，于洞的中心相对于外载体的中心为偏心的状态下进行双面研磨装置用载体的研磨加工。如此一来，能改善研磨双面研磨装置用载体的状况时其厚度分布不均的问题。
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公开(公告)号：CN105531799B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480050581.8
申请日：2014-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/11
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B49/12
Abstract: 本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104114322B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201380006959.X
申请日：2013-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B53/00 , B24B53/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种晶片的双面研磨方法，该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中，并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间，并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面，且以批次方式反复进行该晶片的研磨，上述晶片的双面研磨方法其特征在于，在上述以批次方式反复进行的晶片的研磨中，将上述载具公转的方向在每一批次转换成相反的方向。由此，提供一种能够抑制修整所造成的生产率的降低且能够稳定地得到高平坦度的晶片的晶片的双面研磨方法。
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公开(公告)号：CN104968473A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480006747.6
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28
CPC classification number: B24B37/28 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B7/241 , B24B37/08 , H01L21/304 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，是将嵌件材料嵌合并粘结在保持孔中来进行制造，所述保持孔是在被配置于双面研磨装置的贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间的载具主体上形成，且用于在研磨时保持晶圆，所述嵌件材料接触所保持的晶圆的周边部，其中，该双面研磨装置用载具的制造方法，对所述嵌件材料施行研光加工和研磨加工，之后，将该嵌件材料嵌合至载具主体的保持孔中，沿着与载具主体的主要表面垂直的方向，一边将负载施加至已嵌合的嵌件材料上一边进行粘结及干燥，由此来制造双面研磨装置用载具。由此，提供一种能够抑制在批次内的研磨晶圆的平坦度的偏差的双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法。
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公开(公告)号：CN1253934C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN02814731.6
申请日：2002-09-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/24
Abstract: 本发明是要提供一种从与习知的SFQR等不同的观点来评价晶片的状质量所用的晶片的形状评价方法及在曝光装置产生问题少的晶片，以及可拣选具有良好质量的晶片的拣选方法。为此，本发明乃作成以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部求出遍及晶片全周的多个晶片形状轮廓(形状)，且设定要算出在各每一轮廓的基准线用的第1区域于晶片中央侧，再在该第1区域外的晶片外周侧设定第2区域，并延长在该第1区域所算出的基准线直至该第2区域为止，以分析该第2区域形状(测定值)和在第2区域内的该基准线(基准值)的差(测定值-基准值)，而算出该值的最大值作为表面特性A及最小值作为表面特性B，并从该等遍及全周所获得的多个表面特性A及表面特性B来评价晶片的外周部分形状的均匀性。
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公开(公告)号：CN108290268A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069349.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。
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公开(公告)号：CN104968473B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201480006747.6
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28
CPC classification number: B24B37/28 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B7/241 , B24B37/08 , H01L21/304 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，是将嵌件材料嵌合并粘结在保持孔中来进行制造，所述保持孔是在被配置于双面研磨装置的贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间的载具主体上形成，且用于在研磨时保持晶圆，所述嵌件材料接触所保持的晶圆的周边部，其中，该双面研磨装置用载具的制造方法，对所述嵌件材料施行研光加工和研磨加工，之后，将该嵌件材料嵌合至载具主体的保持孔中，沿着与载具主体的主要表面垂直的方向，一边将负载施加至已嵌合的嵌件材料上一边进行粘结及干燥，由此来制造双面研磨装置用载具。由此，提供一种能够抑制在批次内的研磨晶圆的平坦度的偏差的双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法。
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