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公开(公告)号：CN108698192B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201780012780.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、分别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载体基材的背面侧突出的插入材的背面侧突出量的测定步骤、设定启用研磨载体时的上定盘及下定盘的转速而降低表面侧突出量及背面侧突出量的差值的设定步骤及以经设定的上定盘及下定盘的分别的转速而启用研磨载体的启用研磨步骤。由此能提高双面研磨后的晶圆的边缘部的平坦度。
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公开(公告)号：CN110418696B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201880018073.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定载体组内的多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将该载体组配设于双面研磨装置而对晶圆进行双面研磨。由此，提供能够抑制使用多个双面研磨用载体进行双面研磨所得的晶圆之间的平坦度的差(参差)的晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置。
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公开(公告)号：CN111975626A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010322115.8
申请日：2020-04-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 北爪大地
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具及其制造方法，其能够提高插入部件相对于上下方向的结合强度并防止偏移、脱落，并且抑制了在形成插入部件时插入部件相对于载具主体的偏移。一种双面研磨装置用载具，其在对半导体晶圆进行双面研磨的双面研磨装置中配设于分别贴附有研磨布的上下平台之间，并在研磨时对夹在所述上下平台之间的所述半导体晶圆进行保持，所述双面研磨装置用载具具有：载具主体，其为金属制且形成有用于保持所述半导体晶圆的保持孔；以及插入部件，其为树脂制并与所述保持孔的内周面相接配置，与所述插入部件相接的所述保持孔的内周面的表面粗糙度Ra为1.0μm以上。
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公开(公告)号：CN108290268B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680069349.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。
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公开(公告)号：CN110418696A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880018073.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定载体组内的多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将该载体组配设于双面研磨装置而对晶圆进行双面研磨。由此，提供能够抑制使用多个双面研磨用载体进行双面研磨所得的晶圆之间的平坦度的差(参差)的晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110052955B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910035973.1
申请日：2019-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种载体的制造方法，用于制造载体，载体形成有支承孔，被配设于研磨晶圆的双面的双面研磨机中的贴附有研磨布的上定盘及下定盘之间，支承孔为用于在研磨时支承被包夹于上定盘及下定盘间的晶圆，其中载体的制造方法包含：准备作为用于制造载体的材料的原料板材的步骤；于原料板材形成支承孔的步骤；以及将形成有支承孔的原料板材，以250μm以上的研光量进行研光加工的步骤，该载体的制造方法能够制造翘曲少的双面研磨装置用载体。
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公开(公告)号：CN108290268A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069349.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。
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公开(公告)号：CN118900941A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202280083343.1
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在支撑基板上形成有包含GaN的III族氮化物半导体层的氮化物半导体基板，其特征在于，支撑基板包含：复合基板，其由多个层层叠而成，所述多个层包含多晶陶瓷芯、接合于整个所述多晶陶瓷芯的第一粘合层、层叠于整个所述第一粘合层的第二粘合层及结合于整个所述第二粘合层的阻障层；及，III族氮化物半导体晶种层，其隔着平坦化层接合于所述复合基板上且至少包含GaN；III族氮化物半导体层形成于所述III族氮化物半导体晶种层上，III族氮化物半导体晶种层的GaN的(0002)生长面的结晶性以XRD半峰宽计为550角秒以下。由此，能够提供一种包含翘曲少、发生位错少且晶性良好的III族氮化物半导体层的氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN109983562B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201780072127.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载体，在将半导体硅晶圆双面研磨的双面研磨装置中将该双面研磨装置用载体设置于各别贴附有研磨布的上下定盘之间，且该双面研磨装置用载体形成有用于在研磨之际将被夹在该上下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承的支承孔，其中该双面研磨装置用载体为树脂制，与该研磨布接触的表背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下，且表面与背面的接触角度的平均值的差为5°以内。由此提供使用树脂制载体的能提升半导体硅晶圆的研磨率的双面研磨装置用载体，以及使用此物的双面研磨装置及双面研磨方法。
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公开(公告)号：CN110052955A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910035973.1
申请日：2019-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种载体的制造方法，用于制造载体，载体形成有支承孔，被配设于研磨晶圆的双面的双面研磨机中的贴附有研磨布的上定盘及下定盘之间，支承孔为用于在研磨时支承被包夹于上定盘及下定盘间的晶圆，其中载体的制造方法包含：准备作为用于制造载体的材料的原料板材的步骤；于原料板材形成支承孔的步骤；以及将形成有支承孔的原料板材，以250μm以上的研光量进行研光加工的步骤，该载体的制造方法能够制造翘曲少的双面研磨装置用载体。
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