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发明公开
氮化物半导体基板及氮化物半导体基板的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118900941A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202280083343.1

申请日：2022-11-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保野一平 , 萩本和德 , 北爪大地

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在支撑基板上形成有包含GaN的III族氮化物半导体层的氮化物半导体基板，其特征在于，支撑基板包含：复合基板，其由多个层层叠而成，所述多个层包含多晶陶瓷芯、接合于整个所述多晶陶瓷芯的第一粘合层、层叠于整个所述第一粘合层的第二粘合层及结合于整个所述第二粘合层的阻障层；及，III族氮化物半导体晶种层，其隔着平坦化层接合于所述复合基板上且至少包含GaN；III族氮化物半导体层形成于所述III族氮化物半导体晶种层上，III族氮化物半导体晶种层的GaN的(0002)生长面的结晶性以XRD半峰宽计为550角秒以下。由此，能够提供一种包含翘曲少、发生位错少且晶性良好的III族氮化物半导体层的氮化物半导体。

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