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公开(公告)号：CN115720542A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202180044828.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/24
Abstract: 本发明涉及一种单面抛光装置，其具有：具有真空吸附用的沟槽的底部平台；通过真空吸附固定的可拆装的抛光平台；抛光垫；及保持晶圆的抛光头，使保持于抛光头的晶圆的表面与抛光垫滑动接触而进行抛光，所述单面抛光装置中，抛光垫通过依次层叠抛光晶圆的表面的抛光层、第一粘着层、PET片层、第二粘着层、弹性层及用以贴附于抛光平台的第三粘着层而成，且抛光垫的压缩率为16％以上。由此，提供一种单面抛光装置，其在晶圆的单面抛光(特别是在使用真空吸附式的可拆装的抛光平台的单面抛光)中，可抑制晶圆的NT质量在抛光后恶化。
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公开(公告)号：CN116348246A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180072301.3
申请日：2021-10-05
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 上野淳一
IPC: B24B37/22
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，其具有研磨晶圆的表面的研磨层、及用于将该研磨层粘贴至双面研磨装置的上平台的双面胶带，所述双面胶带的90°剥离粘合力A为2000g/cm以上，且所述90°剥离粘合力A与180°剥离粘合力B的比A/B为1.05以上，所述双面胶带具有基材、粘贴于所述研磨层一侧的研磨层侧粘合层、及粘贴于所述上平台一侧的上平台侧粘合层，所述研磨层侧粘合层与所述上平台侧粘合层的合计厚度为80μm以下。由此，提供一种研磨垫，在进行晶圆的双面研磨时，能够抑制晶圆的平坦度的恶化。
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公开(公告)号：CN109478506B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780043825.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/30
Abstract: 本发明为一种研磨装置，包含黏贴有研磨晶圆的研磨布的平台及支承并同时得以旋转晶圆且得以在施加研磨载重至晶圆的同时将之推抵至研磨布的多个研磨头，在使研磨头旋转的同时将以研磨头所支承的晶圆推抵至研磨布而研磨，该研磨装置的特征在于，多个研磨头中的每个研磨头分别都具有控制该研磨头的研磨载重的压力控制机构以及控制该研磨头的转速的旋转控制机构。由此，提供一种研磨方法和研磨装置，其能够降低研磨头间的加工量分布及加工量的参差。
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公开(公告)号：CN111971146A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201980019857.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/30 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨头，至少具备：环状的陶瓷环；模板，其贴附于陶瓷环，在模板中衬垫及引导环形成为一体；以及背板，其结合于陶瓷环，并与衬垫及陶瓷环共同形成空间部，其中，晶圆的背面保持于衬垫的下表面部，从而晶圆的表面与贴附在平台上的研磨布滑动接触而进行研磨，其特征在于，在空间部封入有非压缩性流体，非压缩性流体的黏度为10mPa·s以上1200mPa·s以下。由此，提供一种减小模板与晶圆之间形成的细小缝隙部的衬垫变形，从而提高晶圆最外周部处的研磨均匀性的研磨头及研磨方法。
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公开(公告)号：CN110052955A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910035973.1
申请日：2019-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种载体的制造方法，用于制造载体，载体形成有支承孔，被配设于研磨晶圆的双面的双面研磨机中的贴附有研磨布的上定盘及下定盘之间，支承孔为用于在研磨时支承被包夹于上定盘及下定盘间的晶圆，其中载体的制造方法包含：准备作为用于制造载体的材料的原料板材的步骤；于原料板材形成支承孔的步骤；以及将形成有支承孔的原料板材，以250μm以上的研光量进行研光加工的步骤，该载体的制造方法能够制造翘曲少的双面研磨装置用载体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107921606B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680048100.9
申请日：2016-08-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨方法以及一种研磨装置，在通过对设置于以马达所旋转驱动的定盘的冷媒流路供给冷媒而冷却该定盘的同时，通过使以支承机构所支承的晶圆滑接于研磨布而进行研磨加工，其中在该晶圆的研磨加工结束后，在为实施下一个晶圆的研磨加工之前的待机时，将该冷媒的流量予以控制成未满正在实施该晶圆的磨研加工的研磨时的该冷媒的流量，并且以该马达使该定盘旋转，并且将已调整温度至室温以上的保水液供给至该研磨布。由此抑制待机时的定盘的温度的低下，不需再度开始研磨加工前的测试研磨。
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公开(公告)号：CN105531082B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201480049857.0
申请日：2014-09-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B53/017
CPC classification number: B24B53/017 , H01L21/02024
Abstract: 本发明是一种修整装置，其使钻石磨粒压抵且滑动接触至用于研磨的发泡聚胺酯垫，来修整用于研磨的发泡聚胺酯垫，其特征在于：钻石磨粒被支撑在台座上，被该台座支撑的钻石磨粒具有多种粒度号数，该多种粒度号数的钻石磨粒是由粒度号数在#170以上的高粒度号数的钻石磨粒与在#140以下的低粒度号数的钻石磨粒构成，并以使多种粒度号数的钻石磨粒各自与发泡聚胺酯垫接触的修整面的高度位置在同一平面上的方式，被支撑在台座上。由此，提供一种修整装置，其在不闭塞发泡聚胺酯垫的发泡孔的情况下，利用一次的修整就能将表面充分地粗化，并能够缩短修整时间且能够设定较长的修整间隔，从而能够抑制生产率降低。
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公开(公告)号：CN110052955B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910035973.1
申请日：2019-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种载体的制造方法，用于制造载体，载体形成有支承孔，被配设于研磨晶圆的双面的双面研磨机中的贴附有研磨布的上定盘及下定盘之间，支承孔为用于在研磨时支承被包夹于上定盘及下定盘间的晶圆，其中载体的制造方法包含：准备作为用于制造载体的材料的原料板材的步骤；于原料板材形成支承孔的步骤；以及将形成有支承孔的原料板材，以250μm以上的研光量进行研光加工的步骤，该载体的制造方法能够制造翘曲少的双面研磨装置用载体。
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公开(公告)号：CN109478506A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043825.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/30
Abstract: 本发明为一种研磨装置，包含黏贴有研磨晶圆的研磨布的平台及支承并同时得以旋转晶圆且得以在施加研磨载重至晶圆的同时将之推抵至研磨布的多个研磨头，在使研磨头旋转的同时将以研磨头所支承的晶圆推抵至研磨布而研磨，该研磨装置的特征在于，多个研磨头中的每个研磨头分别都具有控制该研磨头的研磨载重的压力控制机构以及控制该研磨头的转速的旋转控制机构。由此，提供一种研磨方法和研磨装置，其能够降低研磨头间的加工量分布及加工量的参差。
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公开(公告)号：CN107921606A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048100.9
申请日：2016-08-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨方法以及一种研磨装置，在通过对设置于以马达所旋转驱动的定盘的冷媒流路供给冷媒而冷却该定盘的同时，通过使以支承机构所支承的晶圆滑接于研磨布而进行研磨加工，其中在该晶圆的研磨加工结束后，在为实施下一个晶圆的研磨加工之前的待机时，将该冷媒的流量予以控制成未满正在实施该晶圆的磨研加工的研磨时的该冷媒的流量，并且以该马达使该定盘旋转，并且将已调整温度至室温以上的保水液供给至该研磨布。由此抑制待机时的定盘的温度的低下，不需再度开始研磨加工前的测试研磨。
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