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公开(公告)号：CN115362534A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026701.0
申请日：2021-02-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/00 , B24B49/04
Abstract: 本发明是一种晶圆的研磨方法，其一边连续供给包含水的研磨用组合物，一边将晶圆压抵于研磨布而进行修正研磨，以修正进行过研磨的研磨晶圆的形状，其特征在于，包含以下工序：测量进行所述修正研磨前的所述研磨晶圆的形状；根据该测量出的研磨晶圆的形状，确定在所述研磨用组合物中包含的表面活性剂的种类及浓度；以及一边供给基于该确定的表面活性剂的种类及浓度而调整过的所述研磨用组合物，一边进行所述修正研磨。由此，提供一种能够在后段的研磨工序中减少在前段的研磨工序产生的晶圆的形状的偏差的晶圆的研磨方法及研磨装置。
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公开(公告)号：CN108290266B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201680067980.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , B24B49/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨方法，具有研磨步骤，在对贴附于定盘的研磨布供给研磨浆的同时，通过将以研磨头支承的晶圆予以滑接于该研磨布的表面，而研磨该晶圆的表面，该研磨方法包含：相关关系导出步骤，于进行该研磨步骤之前，预先求得该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系，其中在该研磨步骤之中，在基于该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系而控制该研磨布的表面温度的同时，研磨该晶圆。由此在晶圆的研磨之中能抑制雾度，并且由此能延长研磨布的寿命。
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公开(公告)号：CN106663621A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580039703.8
申请日：2015-07-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 佐藤三千登
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/24 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , B24B37/24 , B24B57/02 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/02024
Abstract: 一种精抛光方法，包括使用抛光剂与抛光布而进行精抛光，抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，在将存在于抛光剂中的粒子的累积体积比例在95％的粒径予以设为D1，并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶的累积体积比例在95％的粒径予以设为D2之时，D1/D2在1.5以上且2.5以下，以及抛光布的使用，为将抛光布风干后进行干燥，且该滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。因此，提供了一种硅晶圆的精抛光方法，由此得到的硅晶圆具有整体上优秀的雾度等级，在外围部分有很小的雾度不均和很少的微小缺陷。
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公开(公告)号：CN105102189A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480016816.1
申请日：2014-02-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 佐藤三千登
IPC: B24B37/30 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种在研磨工件时用以保持该工件的模板组件，其特征在于，具有PET基材；环状的模板部，其被粘接在该PET基材的底面的外周部；以及圆盘状的衬垫，其被粘接在所述PET基材的底面的中央部；在所述模板部的内面与所述衬垫的底面，形成有在研磨时收容并保持所述工件的凹部，且在所述模板部的内面上部形成有环状的缺口部，在该缺口部卡合有所述衬垫的周缘部。由此，能够在抑制工件的刮痕或缺陷等的发生的同时，通过降低凹部的深度的面内偏差，来能够提高研磨后的工件的平坦度。
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公开(公告)号：CN107427989A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014659.X
申请日：2016-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/30 , B24B41/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明的研磨头的制造方法，包含下列步骤：于中板的下端面形成自非压缩性流体的注入口延伸至中板的外周部的沟槽与自空气的排出口延伸至中板的外周部的沟槽；在刚性环的下端面贴附弹性膜并且将刚性环的上端面与中板的下端面结合后将空间部内减压；在减压步骤后，自注入口注入非压缩性流体至空间部的同时，自排出口排出空间部内的空气，通过封闭注入口与排出口将非压缩性流体封装于空间部。因此在制造于空间部封装非压缩性流体的研磨头的情况下，作业性佳，易于控制非压缩性流体量，并且能降低残留在空间部的空气量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107921606B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680048100.9
申请日：2016-08-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨方法以及一种研磨装置，在通过对设置于以马达所旋转驱动的定盘的冷媒流路供给冷媒而冷却该定盘的同时，通过使以支承机构所支承的晶圆滑接于研磨布而进行研磨加工，其中在该晶圆的研磨加工结束后，在为实施下一个晶圆的研磨加工之前的待机时，将该冷媒的流量予以控制成未满正在实施该晶圆的磨研加工的研磨时的该冷媒的流量，并且以该马达使该定盘旋转，并且将已调整温度至室温以上的保水液供给至该研磨布。由此抑制待机时的定盘的温度的低下，不需再度开始研磨加工前的测试研磨。
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公开(公告)号：CN106663621B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201580039703.8
申请日：2015-07-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 佐藤三千登
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/306 , B24B37/00 , B24B37/24 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , B24B37/24 , B24B57/02 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/02024
Abstract: 一种精抛光方法，包括使用抛光剂与抛光布而进行精抛光，抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，在将存在于抛光剂中的粒子的累积体积比例在95％的粒径予以设为D1，并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶的累积体积比例在95％的粒径予以设为D2之时，D1/D2在1.5以上且2.5以下，以及抛光布的使用，为将抛光布风干后进行干燥，且该滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。因此，提供了一种硅晶圆的精抛光方法，由此得到的硅晶圆具有整体上优秀的雾度等级，在外围部分有很小的雾度不均和很少的微小缺陷。
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公开(公告)号：CN108290266A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680067980.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , B24B49/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨方法，具有研磨步骤，在对贴附于定盘的研磨布供给研磨浆的同时，通过将以研磨头支承的晶圆予以滑接于该研磨布的表面，而研磨该晶圆的表面，该研磨方法包含：相关关系导出步骤，于进行该研磨步骤之前，预先求得该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系，其中在该研磨步骤之中，在基于该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系而控制该研磨布的表面温度的同时，研磨该晶圆。由此在晶圆的研磨之中能抑制雾度，并且由此能延长研磨布的寿命。
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公开(公告)号：CN105531082B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201480049857.0
申请日：2014-09-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B53/017
CPC classification number: B24B53/017 , H01L21/02024
Abstract: 本发明是一种修整装置，其使钻石磨粒压抵且滑动接触至用于研磨的发泡聚胺酯垫，来修整用于研磨的发泡聚胺酯垫，其特征在于：钻石磨粒被支撑在台座上，被该台座支撑的钻石磨粒具有多种粒度号数，该多种粒度号数的钻石磨粒是由粒度号数在#170以上的高粒度号数的钻石磨粒与在#140以下的低粒度号数的钻石磨粒构成，并以使多种粒度号数的钻石磨粒各自与发泡聚胺酯垫接触的修整面的高度位置在同一平面上的方式，被支撑在台座上。由此，提供一种修整装置，其在不闭塞发泡聚胺酯垫的发泡孔的情况下，利用一次的修整就能将表面充分地粗化，并能够缩短修整时间且能够设定较长的修整间隔，从而能够抑制生产率降低。
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公开(公告)号：CN112936626A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011136869.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 技术问题：本发明提供一种线锯的运转再开始方法，在使用了固定磨粒金属线的线锯进行的工件切断中，当再开始由于金属线的断线等异常而在途中中断的工件的切断时，不会因为金属线牵拉工件而发生锯线断线的情况。解决手段：一种线锯的运转再开始方法，该方法是下述情况下的运转再开始方法，在通过将表面固着有磨粒的固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，并通过一边使所述固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件相对地抵靠所述金属线列而进行切入进给，从而将所述工件切断为晶圆状的线锯的运转中，当将所述工件的切断在所述工件的途中暂时中断后，再开始所述工件的切断，其中，将使所述磨粒磨损后的所述固定磨粒金属线配置在使所述工件的切断中断的所述工件的切入位置，并再开始所述工件的切断。
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