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公开(公告)号：CN107427989A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014659.X
申请日：2016-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/30 , B24B41/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明的研磨头的制造方法，包含下列步骤：于中板的下端面形成自非压缩性流体的注入口延伸至中板的外周部的沟槽与自空气的排出口延伸至中板的外周部的沟槽；在刚性环的下端面贴附弹性膜并且将刚性环的上端面与中板的下端面结合后将空间部内减压；在减压步骤后，自注入口注入非压缩性流体至空间部的同时，自排出口排出空间部内的空气，通过封闭注入口与排出口将非压缩性流体封装于空间部。因此在制造于空间部封装非压缩性流体的研磨头的情况下，作业性佳，易于控制非压缩性流体量，并且能降低残留在空间部的空气量。
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公开(公告)号：CN108290266A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680067980.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , B24B49/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨方法，具有研磨步骤，在对贴附于定盘的研磨布供给研磨浆的同时，通过将以研磨头支承的晶圆予以滑接于该研磨布的表面，而研磨该晶圆的表面，该研磨方法包含：相关关系导出步骤，于进行该研磨步骤之前，预先求得该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系，其中在该研磨步骤之中，在基于该研磨布的表面温度与使用该研磨布所研磨的晶圆的雾度的相关关系而控制该研磨布的表面温度的同时，研磨该晶圆。由此在晶圆的研磨之中能抑制雾度，并且由此能延长研磨布的寿命。
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公开(公告)号：CN113766994B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202080032295.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , B24B37/12 , B24B49/14 , H01L21/304
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公开(公告)号：CN116948599A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310429994.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04
Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高研磨(加工)速度的研磨用组合物及研磨方法。所述研磨用组合物的特征在于，其含有作为磨料颗粒的平均粒径为100nm以下的二氧化硅及阳离子表面活性剂，并且所述研磨用组合物的pH为9.0以上、且ZETA电位为±30mV以内。
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公开(公告)号：CN113766994A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202080032295.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/015 , B24B37/12 , B24B49/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种单面抛光方法，其为使用抛光垫进行晶圆的表面的抛光的单面抛光方法，其特征在于，监测所述抛光垫的温度变化，从开始所述抛光时起以第一条件对所述晶圆的表面进行抛光，在所述抛光垫的温度变化从上升变成下降的时间点，从所述第一条件切换成第二条件来对所述晶圆的表面进行抛光。由此，能够正确地检测出自然氧化膜已被去除从而抑制边缘塌边。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112204712A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036009.9
申请日：2019-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/18 , C11D7/54 , C30B29/06 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的清洗方法，其是将硅晶圆进行SC1清洗后，利用具有氧化性的清洗液进行清洗的硅晶圆的清洗方法，其特征在于，通过利用所述具有氧化性的清洗液清洗因所述SC1清洗而形成于该硅晶圆的表面的化学氧化膜，从而使所述化学氧化膜的厚度成长为1.0nm以上。由此提供一种具有良好的微粒质量且能够形成稳定的化学氧化膜的硅晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN107427989B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201680014659.X
申请日：2016-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的研磨头的制造方法，包含下列步骤：于中板的下端面形成自非压缩性流体的注入口延伸至中板的外周部的沟槽与自空气的排出口延伸至中板的外周部的沟槽；在刚性环的下端面贴附弹性膜并且将刚性环的上端面与中板的下端面结合后将空间部内减压；在减压步骤后，自注入口注入非压缩性流体至空间部的同时，自排出口排出空间部内的空气，通过封闭注入口与排出口将非压缩性流体封装于空间部。因此在制造于空间部封装非压缩性流体的研磨头的情况下，作业性佳，易于控制非压缩性流体量，并且能降低残留在空间部的空气量。
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公开(公告)号：CN118235236A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280073945.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01B11/06 , G01J4/04 , H01L21/304 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。
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公开(公告)号：CN116210073A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180053731.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，包含：研磨粒；与水溶性高分子及表面活性剂中的至少1种，所述研磨用组合物中的所述研磨粒的浓度(ppmw)相对于总有机碳的浓度(ppmw)的比为30以下。由此，能够提供：可提供结晶缺陷及研磨缺陷的显现得以抑制的晶圆的研磨用组合物；可提供结晶缺陷及研磨缺陷的显现得以抑制的晶圆的晶圆的加工方法；及即使受到蚀刻，结晶缺陷及研磨缺陷显现也得以抑制的硅晶圆。
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公开(公告)号：CN115362534A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026701.0
申请日：2021-02-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/00 , B24B49/04
Abstract: 本发明是一种晶圆的研磨方法，其一边连续供给包含水的研磨用组合物，一边将晶圆压抵于研磨布而进行修正研磨，以修正进行过研磨的研磨晶圆的形状，其特征在于，包含以下工序：测量进行所述修正研磨前的所述研磨晶圆的形状；根据该测量出的研磨晶圆的形状，确定在所述研磨用组合物中包含的表面活性剂的种类及浓度；以及一边供给基于该确定的表面活性剂的种类及浓度而调整过的所述研磨用组合物，一边进行所述修正研磨。由此，提供一种能够在后段的研磨工序中减少在前段的研磨工序产生的晶圆的形状的偏差的晶圆的研磨方法及研磨装置。
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