公开(公告)号：CN117941033A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280058117.8

申请日：2022-07-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，该清洗方法包括以下工序：准备露出没有自然氧化膜的裸面的硅晶圆作为所述硅晶圆的工序；及利用包含氢氧化铵和双氧水的水溶液对该已准备的硅晶圆进行清洗，由此将所述硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗工序，其中，作为所述清洗工序中使用的水溶液，使用Si相对于SiO2的蚀刻选择比为95以上且1100以下的水溶液。由此，提供一种能够将硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、及一种能够得到仅一侧的面被粗糙化的硅晶圆的硅晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN119213532A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380043311.3

申请日：2023-05-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的干式蚀刻方法，其为在单晶硅晶圆形成粗糙面的干式蚀刻方法，该干式蚀刻方法中，包括使用表面存在自然氧化膜(SiO2)的单晶硅晶圆作为单晶硅晶圆，并利用至少含氟的气体对该单晶硅晶圆的存在自然氧化膜的表面进行干式蚀刻处理的工序，且在干式蚀刻处理中，将由(Si的蚀刻速率/SiO2的蚀刻速率)算出的Si相对于SiO2的蚀刻选择比设为18以上，将SiO2的蚀刻量设为2.5 nm以上，由此在所述单晶硅晶圆形成粗糙面。由此，提供一种能够在硅晶圆形成粗糙面的硅晶圆的干式蚀刻方法、及一种仅在硅晶圆的单侧的面形成粗糙面的硅晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN116918041A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280019373.6

申请日：2022-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其特征在于，通过SC1清洗、SC2清洗或臭氧水清洗在所述硅晶圆上形成氧化膜，利用氢氧化铵浓度为0.051质量％以下的氢氧化铵稀释水溶液、或包含氢氧化铵与过氧化氢水溶液的稀释水溶液中的任意一种水溶液对形成了所述氧化膜的硅晶圆进行清洗，从而使所述硅晶圆的表面和背面粗糙化，其中，所述包含氢氧化铵与过氧化氢水溶液的稀释水溶液中，氢氧化铵浓度为0.051质量％以下，过氧化氢浓度为0.2质量％以下且所述过氧化氢浓度为所述氢氧化铵浓度的4倍以下。由此，可提供能够将硅晶圆的表面和背面粗糙化的清洗方法。

公开(公告)号：CN118251751A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075372.3

申请日：2022-10-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其具备：改变SC1清洗条件来进行清洗，制作表面粗糙度不同的晶圆的试验用晶圆的SC1清洗工序；通过氢氟酸清洗，去除因SC1清洗形成的SC1氧化膜的工序；使用具有氧化力的清洗液进行清洗，形成自然氧化膜的工序；取得因SC1清洗形成的表面粗糙度与自然氧化膜的膜厚的相关关系的工序；针对自然氧化膜形成对象的晶圆，根据欲形成的自然氧化膜的膜厚与相关关系来决定表面粗糙度，并且决定形成该表面粗糙度的SC1清洗条件的工序；利用所决定的SC1清洗条件，进行SC1清洗的工序；将因SC1清洗形成的SC1氧化膜去除的工序；及使用具有氧化力的清洗液，对已去除SC1氧化膜的晶圆进行清洗，形成自然氧化膜的工序。由此，提供一种调整表面粗糙度来精度良好且再现性良好地控制自然氧化膜的膜厚的硅晶圆的清洗方法。

公开(公告)号：CN118235236A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280073945.9

申请日：2022-10-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚 ,  五十岚健作 ,  大关正彬

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/06 ,  G01J4/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。

公开(公告)号：CN117897798A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280059667.1

申请日：2022-07-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其中，预先获取用含氢氧化铵且过氧化氢浓度为0～0.15wt％的水溶液的清洗液清洗无自然氧化膜的裸面露出的调查用硅晶圆时的表面和背面或背面的粗糙化量与清洗温度、NH4OH浓度、H2O2浓度之间的关系，基于该关系，根据所期望的粗糙化量确定清洗温度、NH4OH浓度及H2O2浓度的粗糙化清洗条件，以该确定的粗糙化清洗条件，清洗无自然氧化膜的裸面露出的粗糙化对象硅晶圆，将表面和背面或背面粗糙化。由此，提供可使硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、可获得选择性地仅将一侧面粗糙化的硅晶圆的硅晶圆制造方法、影响粗糙化行为的清洗液中的微量的过氧化氢浓度的评估方法与管理方法。

公开(公告)号：CN117136428A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280026918.6

申请日：2022-02-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  五十岚健作 ,  大槻刚

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其包括：利用氢氟酸清洗硅晶圆的第一清洗工序；利用臭氧水清洗利用所述氢氟酸进行了清洗的所述硅晶圆的第二清洗工序；利用SC1清洗液清洗利用所述臭氧水进行了清洗的所述硅晶圆的第三清洗工序；及利用臭氧水清洗利用所述SC1清洗液进行了清洗的所述硅晶圆的第四清洗工序。由此，提供一种能够在将颗粒品质保持良好的同时，将硅晶圆上的自然氧化膜的膜厚以良好的再现性且高精度地控制在规定范围内的硅晶圆的清洗方法。