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公开(公告)号：CN115461192A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030685.2
申请日：2021-02-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 五十岚健作
IPC: B24B7/00 , B24B1/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种晶圆的平面研磨方法，在该方法中，准备具有第1主面及第1主面相反侧的第2主面，且包含位于第1主面与第2主面之间的边缘部的晶圆，将脱模剂涂布在晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成脱模剂层，在脱模剂层上形成将第2主面及边缘部全部覆盖的树脂层，在树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体，在将晶圆复合体在基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第1主面，从晶圆复合体去除基底部件，在将晶圆在第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第2主面，清洗晶圆，去除残留在晶圆的边缘部的脱模剂层和树脂层。由此，提供可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨的晶圆的平面研磨方法。
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公开(公告)号：CN111052330A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055612.7
申请日：2018-08-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。
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公开(公告)号：CN110447088A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880019193.1
申请日：2018-03-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此，提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN118235236A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280073945.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01B11/06 , G01J4/04 , H01L21/304 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。
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公开(公告)号：CN117136428A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280026918.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其包括：利用氢氟酸清洗硅晶圆的第一清洗工序；利用臭氧水清洗利用所述氢氟酸进行了清洗的所述硅晶圆的第二清洗工序；利用SC1清洗液清洗利用所述臭氧水进行了清洗的所述硅晶圆的第三清洗工序；及利用臭氧水清洗利用所述SC1清洗液进行了清洗的所述硅晶圆的第四清洗工序。由此，提供一种能够在将颗粒品质保持良好的同时，将硅晶圆上的自然氧化膜的膜厚以良好的再现性且高精度地控制在规定范围内的硅晶圆的清洗方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111033696B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880052419.8
申请日：2018-07-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN111602231B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201980007004.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗处理装置，其将晶圆保持于配置在腔体内且能够旋转的台座之上，一边使所述晶圆旋转一边通过药液对所述晶圆进行清洗处理，其特征在于，所述腔体具备向腔体内供给气体的供气部及将气体排出的排气部；所述晶圆清洗处理装置包括：杯部，能够上下移动，配置为围绕保持所述晶圆的台座，且捕捉从旋转的晶圆甩飞的清洗后的药液；以及遮蔽板，配置于该杯部的外侧，从所述腔体的内壁向内侧延伸且为具有中央孔的形状。由此，提供一种在杯部上升及下降时使气体的流路不大幅变化且将腔体内的压力维持于固定的晶圆清洗处理装置及晶圆清洗方法。
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公开(公告)号：CN111052330B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201880055612.7
申请日：2018-08-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。
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公开(公告)号：CN111615741A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008674.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/04 , H01L21/3065
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。由此，提供一种即使减少研磨步骤也能抑制表面缺陷的增加并且改善平坦度的硅晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN112673458B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201980058971.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 五十岚健作
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及半导体硅晶圆的清洗方法，该方法包含：研磨后的臭氧水处理步骤，将研磨后的半导体硅晶圆浸渍于臭氧水；进行第一超声波臭氧水处理的步骤，浸渍于臭氧水，并一边施加超声波一边在常温下进行清洗；以及进行第二超声波臭氧水处理的步骤，在进行第一超声波臭氧水处理的步骤之后，进行将半导体硅晶圆从臭氧水取出并使其旋转的晶圆旋转处理，再次浸渍于臭氧水，并一边施加超声波一边在常温下进行清洗，其中，将进行第二超声波臭氧水处理的步骤进行一次以上，并进行氟酸处理步骤和臭氧水处理步骤。由此，提供一种半导体硅晶圆的清洗方法及清洗处理装置，其能够抑制晶圆面上的突起状的缺陷的产生或表面粗糙度的恶化而提高晶圆质量，并且与现有技术相比更能削减成本。
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