本发明为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其中，预先获取用含氢氧化铵且过氧化氢浓度为0～0.15wt％的水溶液的清洗液清洗无自然氧化膜的裸面露出的调查用硅晶圆时的表面和背面或背面的粗糙化量与清洗温度、NH4OH浓度、H2O2浓度之间的关系，基于该关系，根据所期望的粗糙化量确定清洗温度、NH4OH浓度及H2O2浓度的粗糙化清洗条件，以该确定的粗糙化清洗条件，清洗无自然氧化膜的裸面露出的粗糙化对象硅晶圆，将表面和背面或背面粗糙化。由此，提供可使硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、可获得选择性地仅将一侧面粗糙化的硅晶圆的硅晶圆制造方法、影响粗糙化行为的清洗液中的微量的过氧化氢浓度的评估方法与管理方法。