公开(公告)号：CN114929951B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202080091664.7

申请日：2020-11-20

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 柳濑和也 ,  冈井笃志

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00

摘要： 本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。

公开(公告)号：CN118354963A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280083906.7

申请日：2022-11-17

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 佐藤圣二 ,  佐藤敦

IPC分类号： B65D85/30

摘要： 本发明是一种捆包体，用于对密闭收纳容器进行捆包，该密闭收纳容器由收纳有晶圆的容器主体和盖体构成，其特征在于，具备：货运箱，其具有收纳有所述密闭收纳容器的壳体和该壳体的罩；以及，缓冲件，其配置于该货运箱内，且保持所述密闭收纳容器；其中，所述缓冲件具有多个突起状保持部，这些突起状保持部用于保持所述密闭收纳容器的盖体的上表面的周缘部。由此，提供一种捆包体、密闭收纳容器的捆包方法及密闭收纳容器的输送方法，该捆包体将晶圆收纳于密闭收纳容器中，并且在进一步将密闭收纳容器捆包至货运箱进行输送时，将施加于货运箱的冲击对晶圆造成的影响抑制到最小限度。

公开(公告)号：CN118338987A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280083258.5

申请日：2022-12-02

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 天海史郎 ,  桥本浩昌

IPC分类号： B24B37/013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/26 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

摘要： 本发明是一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，在所述上平台中，在旋转中心与周缘之间设置有多个平台贯通孔，且在所述上平台的与所述下平台对置的研磨面上设置有研磨布，在所述研磨布中，在与所述多个平台贯通孔对应的位置设置有孔，该孔具有所述平台贯通孔的直径以上的大小的直径，在所述上平台的所述贯通孔的每一个中插入有树脂制的中空塞，该中空塞的上表面设置有窗材并且在所述研磨面侧即下表面没有窗材，且该中空塞具有塞贯通孔，在所述上平台的上部还具备晶圆厚度测量机构，该晶圆厚度测量机构能够通过所述塞贯通孔而在研磨中以光学方式实时测量所述晶圆的厚度。由此，能够提供一种双面研磨装置，其能够表现出优异的厚度测量精度，且消除金属杂质、伤痕及颗粒的担忧。

公开(公告)号：CN113710397B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202080030275.3

申请日：2020-03-09

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 小林健司

IPC分类号： B23D61/18 ,  B24B27/06 ,  B24B55/02 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种工件的切断方法，其通过线锯进行，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，一边将冷却剂供给至固定磨粒金属线，并使固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向金属线列切入进给，从而将工件在轴向排列的多个位置同时切断，其中，所述工件通过工件保持装置进行保持，其特征在于，在工件的切断结束后且从所述金属线列拉出所述工件时，将冷却剂的流量设定为180L/min以上，并将固定磨粒金属线在轴向的移动速度设定为6m/min以上30m/min以下。由此，提供一种工件的切断方法，其在切断工件后拉出金属线的过程中，不会发生固定磨粒金属线卡住于工件而产生锯痕或发生固定磨粒金属线断线的情况。

公开(公告)号：CN112005353B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201980027567.9

申请日：2019-03-15

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 竹野博

IPC分类号： H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  H01L21/322

摘要： 本发明提供一种单晶硅基板的分选方法，其具有以下工序：由晶锭制作并准备作为候补的单晶硅基板的准备工序；粒子束照射工序；恢复热处理工序；测定过剩载流子衰减曲线的测定工序；由过剩载流子衰减曲线中的过剩载流子浓度衰减至1/e的时间LT及过剩载流子浓度衰减至X％(1≤X≤10)的时间tTail(X)，计算出ΔtTail(X)＝tTail(X)‑[‑LT×ln(X/100)]，并在ΔtTail(X)为预先确定的判定值以下时，判定为合格的判定工序；分选由制作出被判定为合格的单晶硅基板的晶锭制作的单晶硅基板的分选工序。由此，提供一种能够通过复合寿命的控制抑制拖尾电流的单晶硅基板的分选方法。

公开(公告)号：CN118251751A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075372.3

申请日：2022-10-13

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/66

摘要： 本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其具备：改变SC1清洗条件来进行清洗，制作表面粗糙度不同的晶圆的试验用晶圆的SC1清洗工序；通过氢氟酸清洗，去除因SC1清洗形成的SC1氧化膜的工序；使用具有氧化力的清洗液进行清洗，形成自然氧化膜的工序；取得因SC1清洗形成的表面粗糙度与自然氧化膜的膜厚的相关关系的工序；针对自然氧化膜形成对象的晶圆，根据欲形成的自然氧化膜的膜厚与相关关系来决定表面粗糙度，并且决定形成该表面粗糙度的SC1清洗条件的工序；利用所决定的SC1清洗条件，进行SC1清洗的工序；将因SC1清洗形成的SC1氧化膜去除的工序；及使用具有氧化力的清洗液，对已去除SC1氧化膜的晶圆进行清洗，形成自然氧化膜的工序。由此，提供一种调整表面粗糙度来精度良好且再现性良好地控制自然氧化膜的膜厚的硅晶圆的清洗方法。

公开(公告)号：CN118235236A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280073945.9

申请日：2022-10-12

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚 ,  五十岚健作 ,  大关正彬

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01B11/06 ,  G01J4/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

摘要： 本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。

公开(公告)号：CN111633850B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202010120773.9

申请日：2020-02-26

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 藤原贤二 ,  川上宪秀 ,  栗本宏高

IPC分类号： B28D5/00 ,  B28D5/04

摘要： 本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于，所述工件是中心轴向为 方向或 方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为 方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为 方向的单晶铸块时的切断方向从 方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为‑30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1‑10)方向、(‑101)方向及(01‑1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0‑11)方向、(‑110)方向及(10‑1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为‑30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为 方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。

公开(公告)号：CN117897798A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280059667.1

申请日：2022-07-20

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 藤井康太 ,  阿部达夫

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

摘要： 本发明为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其中，预先获取用含氢氧化铵且过氧化氢浓度为0～0.15wt％的水溶液的清洗液清洗无自然氧化膜的裸面露出的调查用硅晶圆时的表面和背面或背面的粗糙化量与清洗温度、NH4OH浓度、H2O2浓度之间的关系，基于该关系，根据所期望的粗糙化量确定清洗温度、NH4OH浓度及H2O2浓度的粗糙化清洗条件，以该确定的粗糙化清洗条件，清洗无自然氧化膜的裸面露出的粗糙化对象硅晶圆，将表面和背面或背面粗糙化。由此，提供可使硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、可获得选择性地仅将一侧面粗糙化的硅晶圆的硅晶圆制造方法、影响粗糙化行为的清洗液中的微量的过氧化氢浓度的评估方法与管理方法。

公开(公告)号：CN115427193B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202180030308.9

申请日：2021-04-21

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 田中佑宜

IPC分类号： B24B37/08 ,  B24B37/00 ,  B24B37/28 ,  H01L21/304

摘要： 本发明涉及一种双面研磨方法，在具有平台中心的旋转平台的上平台与下平台之间设置多片载体，使多片载体分别保持1片以上的晶圆，一边以压送方式供给浆料一边研磨晶圆的双面，其特征在于，使保持于多片载体的晶圆的配置为：从多片载体中选择基准载体，以平台中心为角度中心将与该平台中心及基准载体一起所成的角α最大的1片或2片载体作为对称载体，使得配置于基准载体的晶圆的平均厚度Aμm与配置于对称载体的晶圆的平均厚度Bμm之差为1.0μm以下，而进行晶圆的双面研磨。由此，可提供一种能够提供降低了双面研磨后的平坦度的偏差的晶(56)对比文件王威;阎秋生;潘继生;白振伟.超薄钛酸锶电瓷基片研磨加工工艺优化.现代制造工程.2014,(12),第7-10页.