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公开(公告)号：CN114929951B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202080091664.7
申请日：2020-11-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。
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公开(公告)号：CN113574213A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980094084.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其基于切克劳斯基法，具备：主腔室(2)，其容纳收纳原料融液(5)的坩埚(6)、(7)及对原料融液(5)进行加热的加热器(8)；提拉腔室(3)，其连接设置于主腔室(2)的上部，收纳从原料融液(5)提拉的单晶(4)；冷却筒(12)，其以包围单晶(4)的方式从主腔室(2)的顶部朝向原料融液(5)的表面延伸；以及冷却辅助筒(19)，其嵌合于冷却筒(12)的内侧，还具备嵌合于冷却辅助筒(19)的直径扩大部件(20)，冷却辅助筒(19)具有沿轴向贯穿的裂缝，且通过按入直径扩大部件(20)从而直径扩大而与冷却筒(12)紧密贴合。由此，能够高效地冷却生长中的单晶，并实现该单晶的生长速度的高速化。
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公开(公告)号：CN113574213B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201980094084.0
申请日：2019-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其基于切克劳斯基法，具备：主腔室(2)，其容纳收纳原料融液(5)的坩埚(6)、(7)及对原料融液(5)进行加热的加热器(8)；提拉腔室(3)，其连接设置于主腔室(2)的上部，收纳从原料融液(5)提拉的单晶(4)；冷却筒(12)，其以包围单晶(4)的方式从主腔室(2)的顶部朝向原料融液(5)的表面延伸；以及冷却辅助筒(19)，其嵌合于冷却筒(12)的内侧，还具备嵌合于冷却辅助筒(19)的直径扩大部件(20)，冷却辅助筒(19)具有沿轴向贯穿的裂缝，且通过按入直径扩大部件(20)从而直径扩大而与冷却筒(12)紧密贴合。由此，能够高效地冷却生长中的单晶，并实现该单晶的生长速度的高速化。
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公开(公告)号：CN114929951A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080091664.7
申请日：2020-11-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。
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