发明授权
- 专利标题: 双面研磨方法
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申请号: CN202180030308.9申请日: 2021-04-21
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公开(公告)号: CN115427193B公开(公告)日: 2024-02-13
- 发明人: 田中佑宜
- 申请人: 信越半导体株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 信越半导体株式会社
- 当前专利权人: 信越半导体株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 张晶; 敖莲
- 优先权: 2020-084316 2020.05.13 JP
- 国际申请: PCT/JP2021/016109 2021.04.21
- 国际公布: WO2021/230022 JA 2021.11.18
- 进入国家日期: 2022-10-21
- 主分类号: B24B37/08
- IPC分类号: B24B37/08 ; B24B37/00 ; B24B37/28 ; H01L21/304
摘要:
本发明涉及一种双面研磨方法,在具有平台中心的旋转平台的上平台与下平台之间设置多片载体,使多片载体分别保持1片以上的晶圆,一边以压送方式供给浆料一边研磨晶圆的双面,其特征在于,使保持于多片载体的晶圆的配置为:从多片载体中选择基准载体,以平台中心为角度中心将与该平台中心及基准载体一起所成的角α最大的1片或2片载体作为对称载体,使得配置于基准载体的晶圆的平均厚度Aμm与配置于对称载体的晶圆的平均厚度Bμm之差为1.0μm以下,而进行晶圆的双面研磨。由此,可提供一种能够提供降低了双面研磨后的平坦度的偏差的晶(56)对比文件王威;阎秋生;潘继生;白振伟.超薄钛酸锶电瓷基片研磨加工工艺优化.现代制造工程.2014,(12),第7-10页.
公开/授权文献
- CN115427193A 双面研磨方法 公开/授权日:2022-12-02