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公开(公告)号：CN113710397B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080030275.3
申请日：2020-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 小林健司
IPC: B23D61/18 , B24B27/06 , B24B55/02 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种工件的切断方法，其通过线锯进行，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，一边将冷却剂供给至固定磨粒金属线，并使固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向金属线列切入进给，从而将工件在轴向排列的多个位置同时切断，其中，所述工件通过工件保持装置进行保持，其特征在于，在工件的切断结束后且从所述金属线列拉出所述工件时，将冷却剂的流量设定为180L/min以上，并将固定磨粒金属线在轴向的移动速度设定为6m/min以上30m/min以下。由此，提供一种工件的切断方法，其在切断工件后拉出金属线的过程中，不会发生固定磨粒金属线卡住于工件而产生锯痕或发生固定磨粒金属线断线的情况。
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公开(公告)号：CN113226640A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086892.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 小林健司
IPC: B24B27/06 , B24D3/00 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及工件的切断方法，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，并通过一边使其往复移动，一边将经由接合部件通过工件保持装置保持的工件切入进给，从而将工件在多个位置同时切断，其中，使用一部分为磨石的部件作为接合部件，该方法还具有固定磨粒去除工序，其在工件的切断结束后，且在从金属线列拉出工件前，按压于磨石并使固定磨粒金属线往复移动，从而去除固定磨粒金属线的固定磨粒，固定磨粒去除工序中的金属线速度为100m/min.以下，且荷重是每条固定磨粒金属线为30g以上。由此，提供一种工件的切断方法及线锯，其在切断工件后拉出金属线的过程中，不会发生金属线卡住于工件而产生锯痕或发生金属线断线的情况。
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公开(公告)号：CN112936626A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011136869.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 技术问题：本发明提供一种线锯的运转再开始方法，在使用了固定磨粒金属线的线锯进行的工件切断中，当再开始由于金属线的断线等异常而在途中中断的工件的切断时，不会因为金属线牵拉工件而发生锯线断线的情况。解决手段：一种线锯的运转再开始方法，该方法是下述情况下的运转再开始方法，在通过将表面固着有磨粒的固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，并通过一边使所述固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件相对地抵靠所述金属线列而进行切入进给，从而将所述工件切断为晶圆状的线锯的运转中，当将所述工件的切断在所述工件的途中暂时中断后，再开始所述工件的切断，其中，将使所述磨粒磨损后的所述固定磨粒金属线配置在使所述工件的切断中断的所述工件的切入位置，并再开始所述工件的切断。
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公开(公告)号：CN113226640B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201980086892.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 小林健司
IPC: B24B27/06 , B24D3/00 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及工件的切断方法，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，并通过一边使其往复移动，一边将经由接合部件通过工件保持装置保持的工件切入进给，从而将工件在多个位置同时切断，其中，使用一部分为磨石的部件作为接合部件，该方法还具有固定磨粒去除工序，其在工件的切断结束后，且在从金属线列拉出工件前，按压于磨石并使固定磨粒金属线往复移动，从而去除固定磨粒金属线的固定磨粒，固定磨粒去除工序中的金属线速度为100m/min.以下，且荷重是每条固定磨粒金属线为30g以上。由此，提供一种工件的切断方法及线锯，其在切断工件后拉出金属线的过程中，不会发生金属线卡住于工件而产生锯痕或发生金属线断线的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113710397A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080030275.3
申请日：2020-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 小林健司
IPC: B23D61/18 , B24B27/06 , B24B55/02 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种工件的切断方法，其通过线锯进行，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，一边将冷却剂供给至固定磨粒金属线，并使固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向金属线列切入进给，从而将工件在轴向排列的多个位置同时切断，其中，所述工件通过工件保持装置进行保持，其特征在于，在工件的切断结束后且从所述金属线列拉出所述工件时，将冷却剂的流量设定为180L/min以上，并将固定磨粒金属线在轴向的移动速度设定为6m/min以上30m/min以下。由此，提供一种工件的切断方法，其在切断工件后拉出金属线的过程中，不会发生固定磨粒金属线卡住于工件而产生锯痕或发生固定磨粒金属线断线的情况。
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公开(公告)号：CN111670088B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880086941.8
申请日：2018-12-11
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 小林健司
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , B28D7/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种工件的切断方法，其通过线锯(1)进行，通过将固定磨粒金属线(2)卷绕至多个带沟滚轮(3、3’)而形成金属线列(12)，并通过一边使所述固定磨粒金属线(2)在轴向上往复移动，一边将工件(W)向所述金属线列(12)切入进给，从而将所述工件(W)在轴向排列的多个位置同时切断，其中，所述工件(W)经由贴附于该工件(W)的接合部件而通过工件保持机构(15)进行保持，其特征在于，在所述工件(W)的切断结束后，且在从所述金属线列(12)拉出所述工件(W)前，将另外设置于所述工件(W)与所述工件保持机构(15)之间的金属制的金属线磨损部件(21)向所述金属线列(12)切入进给，从而使所述固定磨粒金属线(2)磨损。由此，提供一种工件的切断方法及线锯(1)，其在从金属线列(12)拉出切断后的工件(W)时，不会发生金属线卡住于工件(W)而产生锯痕或发生金属线断线的情况。
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公开(公告)号：CN111670088A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201880086941.8
申请日：2018-12-11
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 小林健司
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , B28D7/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种工件的切断方法，其通过线锯(1)进行，通过将固定磨粒金属线(2)卷绕至多个带沟滚轮(3、3’)而形成金属线列(12)，并通过一边使所述固定磨粒金属线(2)在轴向上往复移动，一边将工件(W)向所述金属线列(12)切入进给，从而将所述工件(W)在轴向排列的多个位置同时切断，其中，所述工件(W)经由贴附于该工件(W)的接合部件而通过工件保持机构(15)进行保持，其特征在于，在所述工件(W)的切断结束后，且在从所述金属线列(12)拉出所述工件(W)前，将另外设置于所述工件(W)与所述工件保持机构(15)之间的金属制的金属线磨损部件(21)向所述金属线列(12)切入进给，从而使所述固定磨粒金属线(2)磨损。由此，提供一种工件的切断方法及线锯(1)，其在从金属线列(12)拉出切断后的工件(W)时，不会发生金属线卡住于工件(W)而产生锯痕或发生金属线断线的情况。
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公开(公告)号：CN101326618B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200680046218.4
申请日：2006-11-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B41/06 , B24B7/17
Abstract: 本发明是一种静压垫，是在半导体晶片的两头研磨装置中，通过供给至原料晶片的两表面的流体的静压，将前述原料晶片以该两表面作非接触支持的静压垫，该静压垫的堤部也就是纹间表面的图案，是用来包围已经被形成于该静压垫的用以支持原料晶片侧的表面上的槽，其用以支持前述原料晶片的必要的外周的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈同心圆状，其位于比该外周的纹间表面图案更内侧的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈非同心圆状，且关于将前述静压垫二等分的全部的直线，成为非对称。由此，可以提供一种半导体晶片的两头研磨装置及两头研磨方法，能够将两头研磨后的晶片的纳米形貌平均所得到平均值成分的“中间环”，使其最小化。
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公开(公告)号：CN101326618A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046218.4
申请日：2006-11-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B41/06 , B24B7/17
Abstract: 本发明是一种静压垫，是在半导体晶片的两头研磨装置中，通过供给至原料晶片的两表面的流体的静压，将前述原料晶片以该两表面作非接触支持的静压垫，该静压垫的堤部也就是纹间表面的图案，是用来包围已经被形成于该静压垫的用以支持原料晶片侧的表面上的槽，其用以支持前述原料晶片的必要的外周的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈同心圆状，其位于比该外周的纹间表面图案更内侧的纹间表面图案，相对于前述原料晶片的自转中心，呈非同心圆状，且关于将前述静压垫二等分的全部的直线，成为非对称。由此，可以提供一种半导体晶片的两头研磨装置及两头研磨方法，能够将两头研磨后的晶片的纳米形貌平均所得到平均值成分的“中间环”，使其最小化。
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