公开(公告)号：CN119920709A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411925232.8

申请日：2024-12-25

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 宋金会

IPC: H01L21/66 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及一种通过改善前处理提高外延表面电阻率测试的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过外延炉进行外延工艺后的外延片，先采用HF溶液对外延片正背面进行洗净，再用UPW超纯水清洗，然后通N2吹干。清洗了外延片表面的自然氧化膜和一些表面颗粒物等。第二步：洗净后的外延片经过氧化炉进行干法氧化。第三步：完成外延片进行了前处理长氧化膜的过程后，进行外延表面电阻率测试，外延表面电阻率测试采用SPV表面光电压法。测试一枚预计15min左右，且测试结果比较稳定和准确。具有操作便捷、省时省力和质量稳定性好的优点。经过干法氧化处理后的外延片进行测量表面电阻率，提高了测量时间且数据相对较稳定和准确。

公开(公告)号：CN119897799A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411967444.2

申请日：2024-12-30

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 王方立

IPC: B24B41/06 ,  H01L21/683 ,  B24B29/04 ,  B24B51/00 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明涉及一种增加潮湿环境吸盘布贴敷结构及其控制方法，所属硅片加工设备技术领域，包括吸盘，吸盘下端设有旋转轴，吸盘上设有中心孔，吸盘上端设有若干呈环形分布且与中心孔连通的吸附槽，旋转轴内设有与中心孔相连通的真空泵连通孔，吸盘上端设有硅片，硅片与吸盘间设有吸盘布。吸盘上端外圆设有支撑圈装配台阶，支撑圈装配台阶上设有与吸盘相嵌套的支撑圈，吸盘布、支撑圈、吸盘间形成边缘空腔，吸盘内设有若干与边缘空腔相连通的真空支路通道。具有结构简单、结构稳定性好和操作便捷的优点。通过边缘新增的真空空腔，固定吸盘布边缘，有效控制硅片破损的数量、吸盘布和抛光布的损失和稼动率的降低。

公开(公告)号：CN119860966A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411972434.8

申请日：2024-12-30

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 周桂丽 ,  戴潮 ,  李松鹏 ,  王江华

IPC: G01N1/32 ,  G01N1/40 ,  G01N27/626

Abstract: 本发明涉及一种实现PUTP法分析硅片中Bulk Cu与Ni的手动前处理方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：先实验前的准备。接着抛光片进行淀积多晶层。然后测多晶厚度监控片表面多晶厚度。再配置硅腐蚀混酸，记录初始质量量H1‑含PFA瓶。取出生长50nm多晶样片，取均值记录为硅片前值。随后在样片边缘区域倒入2‑5g配置好的混酸；装有混酸的PFA小瓶再次称重，记录剩余质量H2‑含PFA瓶。下一步经液滴快速扩开扫过硅片表面。通过氮气驱动混酸液滴腐蚀整个硅片多晶层。接着混酸腐蚀液滴回收至PFA容器，加热PFA容器赶硅蒸发，最后通过扫描液萃取残留元素进行ICP‑MS分析。具有准确有效，用于批量分析且无VPD的高成本投入，实现多晶硅均匀腐蚀和降低分析成本的特点。

公开(公告)号：CN119843241A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411788735.5

申请日：2024-12-06

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 赵祥峰

IPC: C23C16/30 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种优化硅片背封的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片成膜前进行洗净过程的温度控制。第二步：硅片进入石英舟进行LPCVD成膜时，LPCVD工艺成膜温度为650℃调整至665℃。第三步：提高温度后，硅烷热分解反应完全，膜厚以及均一性会发生变化，需要调整硅烷和氮气的进气流量。通过提高成膜温度的控制，使硅烷分解更完全，多晶生长更完全，减小膜内应力的存在，达到优化硅片背封的效果。

公开(公告)号：CN119833432A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411788737.4

申请日：2024-12-06

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 姜翠兰

IPC: H01L21/67 ,  B24B37/34 ,  B24B55/06 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72 ,  C11D3/20 ,  C11D3/06 ,  C11D3/33 ,  C11D3/28 ,  C11D3/60

Abstract: 本发明涉及一种提高AMAT‑CMP机台洗净能力的方法，所属硅片加工设备技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用硅基清复合洗剂，在硅基清复合洗剂内添加螯合剂和表面活性剂。第二步：DHF浓度调整为0.2%～0.5%，并适当提高清洗温度至30℃～40℃，以增强其对氧化物的刻蚀速率，同时保持对晶圆的低损伤性。第三步：通过微调SC1中氨水与过氧化氢的比例，以及将温度控制在45℃～55℃。第四步：在清洗剂作用后，使用DIW彻底冲洗晶圆表面是确保无残留。具有操作便捷、运行稳定性好和效果佳的优点。降低了晶圆因清洗不当导致的缺陷率，提高了整体生产效率和产品良率，为半导体制造业提供了更为高效、可靠的清洗解决方案。

公开(公告)号：CN119764168A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411707494.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 蔡来强

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种高平坦度硅晶圆的加工方法，所属硅晶圆加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅单晶拉制后，辊磨到指定直径晶棒，然后进行切片。第二步：切片后的硅片进行双面研磨。第三步：双面研磨后进入酸腐蚀去除表面研磨损伤层。第四步：对硅片背面进行研削。第五步：背面粗糙化采用研磨的形式实现。第六步：对硅片进行正面研削。第七步：对硅片进行正面抛光。第八步：对剥离的硅片进行去蜡清洗，然后测试平坦度。通过背面研削加背面粗糙化的技术，平坦度明显改善，SFQR能力提升22.8％，具有过程可控和效果好的特点。

公开(公告)号：CN119715588A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411708868.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 吴瑶

IPC: G01N21/95 ,  B07C5/34 ,  G01N1/32 ,  G01N1/44

Abstract: 本发明涉及一种对重掺Ph产品进行预先识别外延堆垛层错的方法，所属半导体外延检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：准备正常和异常批次各2组共4组抛光片样品参与实验。第二步：选用A组和C组及D组中的各1枚样品进行第一次热氧化后腐蚀测试。第三步：选用B组和C组及D组中的另外各1枚样品进行第二次热氧化后腐蚀测试。第四步：选取在正常和异常的2组样品，再分别用不同的热氧化条件和腐蚀测试。第五步：进行显微镜检查。第六步：通过预先识别有堆垛层错发生的硅片。预先识别重掺Ph产品因热履历差异导致的有些位置硅片外延加工后满面堆垛层错的现象。避免需要通过外延加工才能识别到异常而产生产品浪费的情况。

公开(公告)号：CN119704421A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411716503.9

申请日：2024-11-26

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 蔡来强

IPC: B28D5/04 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22 ,  B24B37/04 ,  B24C1/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅单晶经过Cz法拉制，然后经过滚磨，进入切片工序。第二步：对切片后的硅片进行研磨。第三步：对硅片表面进行腐蚀。第四步：对硅片双面进行研削加工。第五步：对硅片背面研削面进行粗糙化，在背面喷砂粗糙化技术中，采用1000目SiO2喷砂粉，干法喷砂压力0.09MPa。第六步：对正面进行最终抛光。第七步：对抛光后的硅片清洗后在ADE 9600上测试平坦度。具有操作便捷、稳定性好和效果好的优点。通过双面研削加背面喷砂粗糙化技术，硅片平坦度SFQR提升约32.7％。

公开(公告)号：CN119581322A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411657508.9

申请日：2024-11-18

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 焦芬芬

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种改善重掺B硅片表面划伤的方法，所属硅片加工技术领域，括如下操作步骤：第一步：配比SC1清洗液，清洗剂NH4OH：H2O2配比为1∶2～1∶3。第二步：抛光前对硅片进行清洗，减少硅片表面颗粒粘附。第三步：清洗后将硅片放入水车中，水位浸没硅片。第四步：在精抛前，对精抛液磨粒与纯水的质量配比控制为1∶15～1∶20。第五步：进行精抛时，抛光液流量控制在2～10L/min，精抛布使用时间控制在35小时内。具有操作便捷、效率高和运行稳定性好的优点。通过抛光时减少硅片表面颗粒粘附以及改善精抛工艺，解决了重掺B硅片表面划伤的问题。

公开(公告)号：CN119480743A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411500669.7

申请日：2024-10-25

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 杨自立 ,  田飞 ,  熊春力

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明涉及一种可旋转的半导体硅片寻边器及其控制方法，所属半导体硅片加工设备技术领域，包括底座，底座上设有旋转架，旋转架内设有与旋转架相轴承式活动插接的滚轴组件，滚轴组件两端均设有固定板，一侧的固定板外设有与滚轴组件相插嵌式连接固定的摇柄。滚轴组件包括滚轴，滚轴前端设有定位横杆，定位横杆上设有若干呈等间距分布的卡槽。具有结构简单紧凑、操作简便和运行稳定性好的优点。使硅片能够平稳的完成缺口或平边的寻边作业，同时在寻边旋转硅片的过程中实现辅助人工进行硅片外周检查的目的。既提高了人工寻边的效率，也提高了硅片正反面外周检查的速度，降低了该过程中该必要工具所带来的人工操作风险因素的引入。