公开(公告)号：CN117104629A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311079079.7

申请日：2023-08-25

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 张友海 ,  焦芬芬

IPC: B65B55/24 ,  B65B61/00 ,  B65B31/00 ,  B65B23/20 ,  B65D81/20 ,  B65D85/86

Abstract: 本发明涉及一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，所属硅片包装片盒技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将包装片盒浸泡在清洗槽里，清洗槽使用药液为表面活性剂TSC‑1，在清洗槽内浸泡5～10min后用纯水冲洗，冲洗后放入片盒洗净机内纯水从冲洗，接着通过片盒洗净机驱动包装片盒离心运动进行烘干。第二步：通过氮气柜存放干净的包装片盒进行干燥。第三步：干净的硅片放入包装片盒中，接着包装片盒使用内包装袋包装封装，内包装袋采用氮气包装。第四步：在内包装袋外再包一层外包装袋，采用内包装袋和外包装袋双层包装封装。具有操作便捷和改善效果显著的特点。解决了硅片包装片盒在存储过程中出现时间依赖性雾的问题。

公开(公告)号：CN119581322A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411657508.9

申请日：2024-11-18

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 焦芬芬

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种改善重掺B硅片表面划伤的方法，所属硅片加工技术领域，括如下操作步骤：第一步：配比SC1清洗液，清洗剂NH4OH：H2O2配比为1∶2～1∶3。第二步：抛光前对硅片进行清洗，减少硅片表面颗粒粘附。第三步：清洗后将硅片放入水车中，水位浸没硅片。第四步：在精抛前，对精抛液磨粒与纯水的质量配比控制为1∶15～1∶20。第五步：进行精抛时，抛光液流量控制在2～10L/min，精抛布使用时间控制在35小时内。具有操作便捷、效率高和运行稳定性好的优点。通过抛光时减少硅片表面颗粒粘附以及改善精抛工艺，解决了重掺B硅片表面划伤的问题。

公开(公告)号：CN118658776A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410675591.6

申请日：2024-05-28

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 焦芬芬

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种改善背封硅片背面晶点的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对硅片背面进行BSD加工，将含有SiO2的浆料通过压缩空气喷在硅片背面，在硅片背面产生背损伤，使之产生缺陷，进行外吸杂。第二步：完成BSD后进行SC1药液清洗，在SC1药液中以65℃温度下清洗5～10min。第三步：在65℃温度下，采用表面活性剂清洗5～10min。第四步：在常温下，采用HF溶液清洗5～10min。第五步：对硅片进行抛光，抛光时采用陶瓷盘，陶瓷盘不贴硅片进行空抛处理。具有操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了背封硅片存在背面晶点的问题。采用陶瓷盘空抛处理，提高平坦度良率。

公开(公告)号：CN115440575A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211081468.9

申请日：2022-09-01

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 焦芬芬

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种降低硅片表面金属的清洗方法，所属硅片清洗技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用的清洗液原料MC1是NH4OH和螯合剂组成，硅片在65℃的温度下进行浸泡清洗5～7min。第二步：去离子水进行清洗。第三步：SC2清洗液由体积比为(1∶3∶30)～(1∶6∶60)的HCl、H2O2、H2O组成，硅片在65℃的温度下浸泡清洗5～7min。第四步：去离子水进行清洗。第五步：O3清洗将硅片放入O3水中浸泡5min。第六步：DHF清洗液由稀释的HF体积比为1∶104组成，在室温状态下浸泡清洗5～7min。第七步：最后通过去离子水进行清洗。具有操作便捷和使用效果好的特点。使得硅片上的轻金属降到1E9水平，重金属降到5E8水准。