公开(公告)号：CN117921517A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311793453.X

申请日：2023-12-25

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 姜翠兰

IPC: B24B29/02 ,  B24B37/04 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：第一步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分。第二步：配比抛液，抛液由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成，FA/O作为表面活性剂添加。第三步：抛布由纱线编织为抛布中心层和抛布表层，抛布表层材料生产时加入羟乙基纤维素和CMC类丝状物质。第四步：硅片进行CMP反应过程，由抛液中的碱、有机物与硅片反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物。第五步：抛液中的磨料在抛布与硅片的相对运动中机械去除这层反应层。具有省时省力、抛光效果好和运行稳定性高的优点。利于控制硅片去除形貌，使得产品平坦度更佳。

公开(公告)号：CN119833432A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411788737.4

申请日：2024-12-06

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 姜翠兰

IPC: H01L21/67 ,  B24B37/34 ,  B24B55/06 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72 ,  C11D3/20 ,  C11D3/06 ,  C11D3/33 ,  C11D3/28 ,  C11D3/60

Abstract: 本发明涉及一种提高AMAT‑CMP机台洗净能力的方法，所属硅片加工设备技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用硅基清复合洗剂，在硅基清复合洗剂内添加螯合剂和表面活性剂。第二步：DHF浓度调整为0.2%～0.5%，并适当提高清洗温度至30℃～40℃，以增强其对氧化物的刻蚀速率，同时保持对晶圆的低损伤性。第三步：通过微调SC1中氨水与过氧化氢的比例，以及将温度控制在45℃～55℃。第四步：在清洗剂作用后，使用DIW彻底冲洗晶圆表面是确保无残留。具有操作便捷、运行稳定性好和效果佳的优点。降低了晶圆因清洗不当导致的缺陷率，提高了整体生产效率和产品良率，为半导体制造业提供了更为高效、可靠的清洗解决方案。

公开(公告)号：CN118809432A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411030096.6

申请日：2024-07-30

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 姜翠兰

IPC: B24B37/11 ,  B24B57/00

Abstract: 本发明涉及一种在集成电路铜膜化学机械抛光中使用抛布和抛液的方法，所属硅片抛光工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成的抛光液进行混合制备。第二步：抛液中的碱、有机物与集成电路反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物。第三步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分。第四步：通过抛光布将抛液中的磨料在抛布与集成电路的相对运动中机械去除反应层。采用晶片与抛布接触面减小，降低晶片与抛布之间分子间作用力，减少抛布吸片的发生。实现使用无沟槽抛布，提升产品NT。通过晶片、抛布、抛液之间流动型增强，利于控制晶片去除形貌，产品平坦度更佳。