公开(公告)号：CN117740855A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311590858.3

申请日：2023-11-27

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 罗国菁 ,  王江华

IPC: G01N23/2251 ,  G01N23/2202 ,  G01N21/88 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/44

Abstract: 本发明公开了一种硅单晶微缺陷的检测系统及方法，本发明涉及直拉硅单晶检测技术领域。该硅单晶微缺陷的检测系统及方法，包括以下步骤：S1、准备检测所需样品；S2、对所述样品进行热氧化处理；S3、将热氧化后的所述样品进行SEM扫描和OM扫描，并切换不同放大倍数获取不同精度的图片；S4、利用初始缺陷检测工具扫描所述样品；S5、由检测系统进行对比分析S3、S4步骤中获取的扫描图片；S6、得到结果并通过检测系统生成检测报告，所述样品取自拉制完成后的原生硅单晶，可以快速实现硅单晶微缺陷的检测，具有检测结果直观化和检测无铬化的特点，能够避免传统检测方法的各种局限，通过对微缺陷的高效检出和判定,以获得无缺陷的硅单晶。

公开(公告)号：CN119860966A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411972434.8

申请日：2024-12-30

Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

Inventor： 周桂丽 ,  戴潮 ,  李松鹏 ,  王江华

IPC: G01N1/32 ,  G01N1/40 ,  G01N27/626

Abstract: 本发明涉及一种实现PUTP法分析硅片中Bulk Cu与Ni的手动前处理方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：先实验前的准备。接着抛光片进行淀积多晶层。然后测多晶厚度监控片表面多晶厚度。再配置硅腐蚀混酸，记录初始质量量H1‑含PFA瓶。取出生长50nm多晶样片，取均值记录为硅片前值。随后在样片边缘区域倒入2‑5g配置好的混酸；装有混酸的PFA小瓶再次称重，记录剩余质量H2‑含PFA瓶。下一步经液滴快速扩开扫过硅片表面。通过氮气驱动混酸液滴腐蚀整个硅片多晶层。接着混酸腐蚀液滴回收至PFA容器，加热PFA容器赶硅蒸发，最后通过扫描液萃取残留元素进行ICP‑MS分析。具有准确有效，用于批量分析且无VPD的高成本投入，实现多晶硅均匀腐蚀和降低分析成本的特点。