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公开(公告)号：CN118731145A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410745368.4
申请日：2024-06-11
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/40 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种手动检测硅片厚氧化层内金属含量的方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：整个作业过程在无尘室环境，前处理工作在通风柜中完成。第二步：把盒放入通风柜中，使用真空笔吸取硅片放置在承片架上。第三步：使用移液枪移HF溶液到硅片表面，使用真空吸笔微微晃动硅片。第四步：把硅片放置在加热板上方的PTFE薄膜上，使得硅片表面液滴蒸干。第五步：用移液枪移取扫描液滴到硅片表面，采用滚珠法在萃取回收硅片表面金属，氢氟酸溶液蒸发干的位置，多滚2回。第六步：萃取液进ICP‑MS分析，得到Ti金属元素含量值。具有省时省力、操作便捷、成本低和稳定性好的优点。提高ICP‑MS分析准确性，实现应用于批量检测分析。
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公开(公告)号：CN119643357A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411672147.5
申请日：2024-11-21
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N5/04 , G01N27/626 , G01B21/00 , G01B21/08
Abstract: 本发明涉及一种准确检测硅片体内重金属含量的方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用VPD机台清洁硅片表面，同时完成金属杂质扫描收集过程。第二步：对VPD收集完的金属杂质用ICP‑MS进行测量，确认金属含量情况。第三步：将已确认足够干净的硅片在次放置于VPD机台内并在机台内称重，进行VPD腐蚀，然后进行烘干并再次称重。第四步：对硅片进行体金属收集。第五步：使用ICP‑MS测试收集回来的样品溶液。第六步：根据腐蚀前后质量差计算出硅片表面腐蚀掉的厚度并计算出腐蚀的体积，根据样品溶液测试值，得出具体的金属含量。有操作便捷、省时省力、准确度高和效果好的优点。保证了测试数据的精度和准确度，避免了测试带来的结果差异性。
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公开(公告)号：CN119901801A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411890420.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N1/44
Abstract: 本发明涉及一种采用逆污染进行验证机台测试精度的方法，所属机台精度检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用VPD机台生成HF蒸汽对硅片表面进行气象腐蚀。第二步：随后VPD机台扫描头扫描收集硅片表面金属沾污，接着在VPD机台对硅片进行烘干操作。第三步：进行过表面清洁的硅片放置于陶瓷加热板上。第四步：将标液均匀滴在硅片表面。第五步：溶液低温烘干。第六步：使用ICP‑MS测试VPD收集的逆污染溶液。使用VPD机台配置的混合腐蚀液除去样品表明的金属杂质和氧化膜，保证了实验硅片的洁净度，去除了外源金属污染的影响，腐蚀液的回收和测试也全程由机台自动完成，保证了测试数据的精度和准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117969643A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311759577.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种检测硅片体内金属含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：先清洗消解灌，接着对硅片进行切割和称量，再对切割后的硅片进行酸溶液清洗，然后添加溶解液并进行一次蒸发，再次添加溶解液并进行二次蒸发，最后用移液枪移取10ml配置的3%HNO3溶液，摇晃完全浸润消解壁后，至ICP‑MS进行测试，测定硅片样品体内的金属含量。通过酸混合溶液除去样品表明的金属元素，避免了不必要的金属污染引入，更真实准确的测定硅片样品体内的金属含量。对于测试硅片尺寸和种类无要求，作为生产加工过程的日常监控手段，并为工艺和技术的提升与改善提供量化的数据支持。
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公开(公告)号：CN119860966A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411972434.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N1/32 , G01N1/40 , G01N27/626
Abstract: 本发明涉及一种实现PUTP法分析硅片中Bulk Cu与Ni的手动前处理方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：先实验前的准备。接着抛光片进行淀积多晶层。然后测多晶厚度监控片表面多晶厚度。再配置硅腐蚀混酸，记录初始质量量H1‑含PFA瓶。取出生长50nm多晶样片，取均值记录为硅片前值。随后在样片边缘区域倒入2‑5g配置好的混酸；装有混酸的PFA小瓶再次称重，记录剩余质量H2‑含PFA瓶。下一步经液滴快速扩开扫过硅片表面。通过氮气驱动混酸液滴腐蚀整个硅片多晶层。接着混酸腐蚀液滴回收至PFA容器，加热PFA容器赶硅蒸发，最后通过扫描液萃取残留元素进行ICP‑MS分析。具有准确有效，用于批量分析且无VPD的高成本投入，实现多晶硅均匀腐蚀和降低分析成本的特点。
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公开(公告)号：CN118883196A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410902953.0
申请日：2024-07-05
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种检测硅片体内Ni含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：准备要配比溶液的超纯水、HF溶液和H2O2。第二步：用移液枪移取4ml 3％HF+2％H2O2混合溶液清洗待测硅片表面2遍，除去硅片表面的自然氧化膜和污物。第三步：将待测硅片置于电热板上加热，加热板温度设置为300摄氏度，加热时间为2小时，加热板温度应均匀，避免硅片局部温差过大。第四步：停止加热，待硅片表面温度冷却至室温后用2ml2％HF+2％H2O2进行萃取。第五步：使用ICP‑MS测试空白样品，确认仪器状态正常；第六步：使用ICP‑MS测试样品溶液，检测硅片体内Ni含量。除去表面的金属杂质和氧化膜，避免了不必要的金属污染，更真实准确的测定硅片样品体内的Ni含量，促进良率的提高。
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公开(公告)号：CN117825484A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311759578.0
申请日：2023-12-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种检测硅片片盒内金属含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：用3%～10%硝酸浸泡洁净PFA容量瓶。第二步：用超纯水清洗PFA容量瓶。第三步：用500ml PFA容量瓶配置4～5%氢氟酸+4～5%双氧水溶液。第四步：用100mlPFA容量瓶配置2%的氢氟酸+2%双氧水混合液。第五步：ICP‑MS检测100mlPFA容量瓶中金属含量并记录，记为前值。第六步：待测晶圆包装盒接超纯水。第七步：将2%的氢氟酸+2%双氧水混合液倒入晶圆包装盒清洗后的超纯水内。第八步：清洗过晶圆包装盒后的溶液用ICP‑MS测试溶液中金属含量并记录，记为后值。第九步：取两次金属含量测试的差值，即为晶圆出货包装盒内金属含量。能够更灵敏地检出各金属含量，从而能够检测到更低含量的金属。
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公开(公告)号：CN117825483A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311759574.2
申请日：2023-12-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种检测硅片体内铜含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：用超纯水清洗各类容器和配置混合溶液。第二步：清洗待测硅片表面。第三步：将待测硅片置于电热板上加热。第四步：停止加热，待温度冷却至室温后，硅片表面进行萃取，萃取过程中通过氮气枪吹扫萃取液。第五步：使用ICP‑MS测试空白样品，以确认仪器状态正常，最后使用ICP‑MS测试样品溶液中的Cu含量。方便管控硅片生产和加工过程中的Cu污染，促进良率的提高。通过酸混合溶液除去样品表明的金属杂质和氧化膜，避免了不必要的金属污染引入，更真实准确的测定硅片样品体内的金属含量。
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