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公开(公告)号：CN119920709A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411925232.8
申请日：2024-12-25
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 宋金会
Abstract: 本发明涉及一种通过改善前处理提高外延表面电阻率测试的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过外延炉进行外延工艺后的外延片，先采用HF溶液对外延片正背面进行洗净，再用UPW超纯水清洗，然后通N2吹干。清洗了外延片表面的自然氧化膜和一些表面颗粒物等。第二步：洗净后的外延片经过氧化炉进行干法氧化。第三步：完成外延片进行了前处理长氧化膜的过程后，进行外延表面电阻率测试，外延表面电阻率测试采用SPV表面光电压法。测试一枚预计15min左右，且测试结果比较稳定和准确。具有操作便捷、省时省力和质量稳定性好的优点。经过干法氧化处理后的外延片进行测量表面电阻率，提高了测量时间且数据相对较稳定和准确。
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