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公开(公告)号：CN116387138A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310287234.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：步骤一：采用磨片设备对硅片进行磨片；磨片去除量为65±5μm，磨片后硅片厚度为770±5μm。将线切后的硅片放置到研磨载体的硅片槽内，每个研磨载体放置5枚硅片，磨片机架上有5个研磨载体，研磨载体的厚度620～737μm，硅片放置好后，开始磨片加工。步骤二：进行腐蚀工艺去除磨片后的损伤层，腐蚀去除量为30±3μm。酸腐蚀前对硅片进行清洗，在腐蚀设备上对硅片进行酸腐蚀。通过磨片和腐蚀2个工艺结合，提高硅片正面背面平坦度，使得抛光前获得较好的正背面平坦度，抛光后能获得较好的平坦度结果。
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公开(公告)号：CN117790286A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311546686.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种改善硅片表面PID的清洗工艺流程，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：预清洗操作，在清洗槽内采用纯水进行溢流清洗，接着进入到O3槽中清洗，然后进入到HF槽中清洗，再在纯水溢流槽内进行冲洗。第二步：颗粒金属清洗操作，先在SC1清洗槽内进行两次清洗，接着在纯水冲洗槽内进行两次冲洗，纯水流量14～22L/min，然后进入到O3槽中清洗。第三步：进入到HF槽中清洗，接着在纯水冲洗槽内进行冲洗，纯水流量14～22L/min。第四步：在纯水溢流槽内进行冲洗，溢流流量2～4L/min。第五步：完成慢提拉槽清洗后，进入取料槽。具有工艺简单、操作便捷和效果好的特点。改善硅片抛光过程中产生的PID缺陷，达到提高硅片质量和提升良率的效果。
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公开(公告)号：CN115739795A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211345069.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司 , 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
Abstract: 本发明涉及一种改善陶瓷盘洗净能力的工艺方法，所属硅片加工设备技术领域，陶瓷盘洗净依次通过1槽NKH‑001溶液、2槽NKH‑001溶液、3槽纯水槽、4槽纯水槽，在陶瓷盘洗净液在药液周期内，只开启陶瓷盘洗净机中的排风一，排风一由悬浮式排风管和若干与悬浮式排风管相连通的风机过滤机组Ⅰ组成，风机过滤机组Ⅰ位于陶瓷盘洗净机顶部。在陶瓷盘洗净液换液后，同时开启排风一和排风二，排风二由下沉式排风管和若干与下沉式排风管连通的风机过滤机组Ⅱ组成，风机过滤机组Ⅱ位于陶瓷盘洗净机下部侧边。具有结构紧凑、效果好和运行稳定性好的特点。解决了陶瓷盘洗净机内部悬浮微小颗粒排除的问题。
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公开(公告)号：CN119764168A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411707494.7
申请日：2024-11-26
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种高平坦度硅晶圆的加工方法，所属硅晶圆加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅单晶拉制后，辊磨到指定直径晶棒，然后进行切片。第二步：切片后的硅片进行双面研磨。第三步：双面研磨后进入酸腐蚀去除表面研磨损伤层。第四步：对硅片背面进行研削。第五步：背面粗糙化采用研磨的形式实现。第六步：对硅片进行正面研削。第七步：对硅片进行正面抛光。第八步：对剥离的硅片进行去蜡清洗，然后测试平坦度。通过背面研削加背面粗糙化的技术，平坦度明显改善，SFQR能力提升22.8％，具有过程可控和效果好的特点。
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公开(公告)号：CN119704421A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411716503.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
Abstract: 本发明涉及一种基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅单晶经过Cz法拉制，然后经过滚磨，进入切片工序。第二步：对切片后的硅片进行研磨。第三步：对硅片表面进行腐蚀。第四步：对硅片双面进行研削加工。第五步：对硅片背面研削面进行粗糙化，在背面喷砂粗糙化技术中，采用1000目SiO2喷砂粉，干法喷砂压力0.09MPa。第六步：对正面进行最终抛光。第七步：对抛光后的硅片清洗后在ADE 9600上测试平坦度。具有操作便捷、稳定性好和效果好的优点。通过双面研削加背面喷砂粗糙化技术，硅片平坦度SFQR提升约32.7％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747409A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311546692.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
Abstract: 本发明涉及一种改善硅片PID的抛光方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：将硅片放置到振动水洗槽内进行振动清洗表面。对硅片进行纯水冲洗。在硅片进行抛光前，先进行‑15～‑5℃度的冷凝，接着吹氮气使得硅片表面的杂质及氧化皮进行脱落。对硅片表面进行除杂，同时便于后续硅片挑选。第一步：进行粗抛，硅片加工中经过两次粗抛。第二步：进行中抛，硅片加工中经过两次中抛。第三步：进行精抛，硅片加工中经过两次精抛。具有操作便捷和效果好的特点。解决了硅片PID在清洗过程中无法被去除的问题。降低PID产生，达到提高硅片质量的效果。
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公开(公告)号：CN120048724A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510089337.2
申请日：2025-01-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , C23C16/40 , C23C16/24 , B24B37/04
Abstract: 本发明涉及一种改善硅片表面粗糙度的工艺方法，所属硅片生产技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对切片后的硅片两面进行粗研磨。第二步：硅片采用SC1溶液和纯水清洗，同时辅以超声。第三步：通过浸泡硅片在酸性溶液或碱性溶液中进行化学腐蚀。第四步：进行化学腐蚀后进入QDR槽进行清洗。第五步：进行精研磨。第六步：进行化学气相沉积处理，在硅片背表面生长一定厚度的氧化层或多晶硅膜。具有操作便捷和运行稳定性好的优点。提高硅片表面的粗糙度和吸附溅镀金属的能力。改善表面粗糙度，获得平坦度较好的硅片。
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公开(公告)号：CN117276133A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311350151.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 蔡来强
Abstract: 本发明涉及一种减少污迹的混酸腐蚀工艺方法，所属硅片清洗加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在清洗槽内采用纯水进行溢流清洗。第二步：在SC1清洗槽内清洗，同时开启超声辅助。第三步：在纯水冲洗槽内进行冲洗，同时开启超声辅助。第四步：在碱腐蚀槽进行碱腐蚀清洗。第五步：完成碱腐蚀槽清洗后进入QDR槽进行清洗。第六步：进入下一个清洗槽，采用HF和H2O2混合液进行清洗。第七步：进行QDR槽清洗。第八步：在酸腐蚀槽进行清洗。第九步：进入纯水冲洗槽冲洗，同时开启超声辅助。第十步：进入QDR槽清洗。第十一步：进行慢提拉槽清洗。第十二步：进入取料槽。在保证平坦度、粗糙度和光泽度的同时，有效减少腐蚀产生的污迹和药残。
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公开(公告)号：CN117153664A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310938906.7
申请日：2023-07-28
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种降低硅片边缘金属沾污的工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过线切工艺将晶棒切割成一定厚度的硅片。第二步：进行一次倒角加工。第三步：需要对硅片进行厚度分类，完成硅片厚度分类后进行研磨。第四步：进行二次倒角加工。第五步：边缘抛光处理，边抛完成后对硅片进行清洗，清洗之后进行腐蚀。第六步：腐蚀之后需要进行清洗。第七步：进行热处理。第八步：对硅片边缘进行抛光，接着对硅片正面进行抛光。第九步：进行去蜡洗净和最终洗净。第十步：硅片洗净完成后，检测体金属。具有操作便捷、质量稳定性高和效果好的特点。避免热处理过程中金属扩散，降低热处理前硅片的金属沾污。
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公开(公告)号：CN116864375A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310820739.6
申请日：2023-07-05
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于晶圆片表面颗粒及金属的高效去除方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：最终洗净机通过一槽和二槽均为SC‑1溶液进行清洗，一槽SC‑1溶液溶液配比为：氨水∶过氧化氢∶水＝1∶6∶26.7。二槽SC‑1溶液溶液配比为：氨水∶过氧化氢∶水＝1∶1∶13.3。第二步：三槽和四槽均为超纯水UPW溶液进行清洗。第三步：五槽采用臭氧溶液进行清洗。第四步：六槽通过DHF溶液进行清洗。第五步：七槽和八槽均为超纯水UPW溶液进行清洗。第六步：九槽通过IR溶液进行清洗。著降低药液使用的量显现出良好的环境友好性，同时结合特异性的SC‑1槽体溶液配比调控，晶圆片表面的颗粒水平和金属水平得到明显改善，显现出更加优良的溶液性能。
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