固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备

    公开(公告)号:CN107425024B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201710160583.8

    申请日:2011-07-08

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明涉及固态成像元件和固态成像元件的制造方法以提供具有优良的光聚集性能的固态成像元件,本发明还涉及电子设备。固态成像元件包括半导体基体(11)和形成在半导体基体(11)上的光电转换部分。固态成像元件被提供有层叠在半导体基体上的隔着至少一个应力弛豫层(22)的有机材料层和无机材料层。例如,该技术可应用于具有布置在像素上的微透镜等的固态成像元件。

    半导体装置及其制造方法、半导体晶片层叠法和电子设备

    公开(公告)号:CN102646688A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210034022.0

    申请日:2012-02-15

    Applicant: 索尼公司

    Inventor: 松谷弘康

    Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法、半导体晶片的层叠方法和包括上述半导体装置的电子设备。所述半导体装置的制造方法包括:在第一半导体晶片的表面侧上形成布线层;在所述布线层上形成埋入膜以填充级差,并且使所述第一半导体晶片的周边区域中的所述布线层的上方的表面与所述第一半导体晶片的内侧区域中的所述布线层的上方的表面基本彼此齐平;并且使所述布线层上方的表面与第二半导体晶片的期望表面相对,并进行层叠,从而将所述第一半导体晶片层叠至所述第二半导体晶片。根据本发明,能够通过增大半导体装置中的接合面的附着力以防止碎裂、晶片间的脱落等,由此改善了该半导体装置的可靠性。

    半导体装置及其制造方法、半导体晶片层叠法和电子设备

    公开(公告)号:CN102646688B

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201210034022.0

    申请日:2012-02-15

    Applicant: 索尼公司

    Inventor: 松谷弘康

    Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法、半导体晶片的层叠方法和包括上述半导体装置的电子设备。所述半导体装置的制造方法包括:在第一半导体晶片的表面侧上形成布线层;在所述布线层上形成埋入膜以填充级差,并且使所述第一半导体晶片的周边区域中的所述布线层的上方的表面与所述第一半导体晶片的内侧区域中的所述布线层的上方的表面基本彼此齐平;并且使所述布线层上方的表面与第二半导体晶片的期望表面相对,并进行层叠,从而将所述第一半导体晶片层叠至所述第二半导体晶片。根据本发明,能够通过增大半导体装置中的接合面的附着力以防止碎裂、晶片间的脱落等,由此改善了该半导体装置的可靠性。

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