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公开(公告)号：CN103137636B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201210483705.4
申请日：2012-11-23
Applicant: 索尼公司
Inventor： 林利彦
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02697 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2224/08145 , H01L2224/24147 , H01L2224/80896 , H01L2224/8203 , H01L2224/92 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体装置制造方法及电子设备。所述半导体装置制造方法包括锚定工艺，所述锚定工艺用于形成阻挡金属膜并利用溅射气体来执行物理蚀刻。所述锚定工艺是在与第一开口的下部相连的配线及与第二开口的下部相连的配线上同时被执行的。所述第一开口用作贯穿连接孔，而所述第二开口用作具有与所述贯穿连接孔的纵横比不同的纵横比的连接孔。所述第一开口及所述第二开口是形成于通过将第一半导体基板与第二半导体基板相互接合而得到的半导体基板中的开口。本技术能够被应用于例如固体摄像装置等半导体装置。根据本发明，能够执行对于与纵横比彼此不同的多个孔的下部相连的各配线而言最佳的处理。
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公开(公告)号：CN107771357A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201680035947.3
申请日：2016-07-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , G02B1/11 , G02B13/00 , B29D11/00
CPC classification number: H01L27/14627 , B29D11/00375 , G02B1/11 , G02B13/0085 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 层叠透镜的变形得以抑制。层叠透镜结构具有以下构造：其中，具有配置在形成于基板中的通孔的内侧的透镜的带透镜的基板通过直接接合而被接合和层叠。例如，本技术能够应用于其中层叠透镜结构与受光元件集成的相机模块等，在该层叠透镜结构中，包括第一至第三带透镜的基板的至少三个带透镜的基板是在基板中形成有通孔并且在通孔的内侧形成有透镜的带透镜的基板。
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公开(公告)号：CN103137636A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210483705.4
申请日：2012-11-23
Applicant: 索尼公司
Inventor： 林利彦
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02697 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2224/08145 , H01L2224/24147 , H01L2224/80896 , H01L2224/8203 , H01L2224/92 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体装置制造方法及电子设备。所述半导体装置制造方法包括锚定工艺，所述锚定工艺用于形成阻挡金属膜并利用溅射气体来执行物理蚀刻。所述锚定工艺是在与第一开口的下部相连的配线及与第二开口的下部相连的配线上同时被执行的。所述第一开口用作贯穿连接孔，而所述第二开口用作具有与所述贯穿连接孔的纵横比不同的纵横比的连接孔。所述第一开口及所述第二开口是形成于通过将第一半导体基板与第二半导体基板相互接合而得到的半导体基板中的开口。本技术能够被应用于例如固体摄像装置等半导体装置。根据本发明，能够执行对于与纵横比彼此不同的多个孔的下部相连的各配线而言最佳的处理。
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公开(公告)号：CN105981160B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201580006909.0
申请日：2015-04-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L27/146 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：具有第一电极的第一半导体元件；具有第二电极的第二半导体元件；在第二电极上形成的Sn系焊料微凸块；和与所述焊料微凸块相对的包括第一电极的凹状凸块焊盘，其中第一电极经由所述焊料微凸块和所述凹状凸块焊盘与第二电极连接。
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公开(公告)号：CN105981160A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580006909.0
申请日：2015-04-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L27/146 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：具有第一电极的第一半导体元件；具有第二电极的第二半导体元件；在第二电极上形成的Sn系焊料微凸块；和与所述焊料微凸块相对的包括第一电极的凹状凸块焊盘，其中第一电极经由所述焊料微凸块和所述凹状凸块焊盘与第二电极连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109637992A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811352193.1
申请日：2015-04-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L27/146 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：第一半导体元件，具有第一电极、设置在所述第一电极上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层和钝化层；第二半导体元件，具有第二电极；以及微凸块，设置在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间，所述钝化层覆盖所述第一金属层和所述第二金属层各自的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102629616B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210022098.1
申请日：2012-02-01
Applicant: 索尼公司
Inventor： 林利彦
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/1469
Abstract: 一种固态成像装置、其制造方法及电子设备。该固态成像装置，包括：层叠的半导体芯片，构造为通过将两个或更多个半导体芯片部分彼此接合获得，并且是通过至少将其中形成有像素阵列和多层配线层的第一半导体芯片部分和其中形成逻辑电路和多层配线层的第二半导体芯片部分彼此接合而获得，并且该多层配线层彼此相对且彼此电连接；以及遮光层，在该第一和第二半导体芯片部分之间的连接处附近，构造为由与该第一和第二半导体芯片部分之一或二者的连接互连线相同层的导电膜形成。该固态成像装置是背面照明固态成像装置。
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公开(公告)号：CN102629616A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210022098.1
申请日：2012-02-01
Applicant: 索尼公司
Inventor： 林利彦
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/1469
Abstract: 一种固态成像装置、其制造方法及电子设备。该固态成像装置，包括：层叠的半导体芯片，构造为通过将两个或更多个半导体芯片部分彼此接合获得，并且是通过至少将其中形成有像素阵列和多层配线层的第一半导体芯片部分和其中形成逻辑电路和多层配线层的第二半导体芯片部分彼此接合而获得，并且该多层配线层彼此相对且彼此电连接；以及遮光层，在该第一和第二半导体芯片部分之间的连接处附近，构造为由与该第一和第二半导体芯片部分之一或二者的连接互连线相同层的导电膜形成。该固态成像装置是背面照明固态成像装置。
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公开(公告)号：CN101989609B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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公开(公告)号：CN107771357B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201680035947.3
申请日：2016-07-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , G02B1/11 , G02B13/00 , B29D11/00
Abstract: 层叠透镜的变形得以抑制。层叠透镜结构具有以下构造：其中，具有配置在形成于基板中的通孔的内侧的透镜的带透镜的基板通过直接接合而被接合和层叠。例如，本技术能够应用于其中层叠透镜结构与受光元件集成的相机模块等，在该层叠透镜结构中，包括第一至第三带透镜的基板的至少三个带透镜的基板是在基板中形成有通孔并且在通孔的内侧形成有透镜的带透镜的基板。
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