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公开(公告)号：CN102201418B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110070318.3
申请日：2011-03-18
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/76802 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L24/05 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L31/02002 , H01L31/02008 , H01L31/02013 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/08145 , H01L2224/24147 , H01L2224/48463 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
Abstract: 本发明涉及半导体装置、该半导体装置的制造方法和设计方法、以及电子装置。该半导体装置的制造方法包括如下步骤：通过将多个半导体晶片层叠并粘合起来形成含有所述多个半导体晶片的层叠结构，各所述半导体晶片设置有形成于表面侧的布线层且设置有半成品状态的电路；然后对所述层叠结构的上层半导体晶片进行减薄；然后从所述上层半导体晶片形成开口，由此形成连接孔和贯通连接孔，所述连接孔到达形成于所述上层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔穿过所述上层半导体晶片并到达形成于下层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔的直径大于所述连接孔的直径。根据本发明，能够实现高性能，提高生产力，并且降低成本。
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公开(公告)号：CN103035660A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210355337.5
申请日：2012-09-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/13091 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件和半导体器件制造方法，可减小连接电极到配线构件的电阻变化且改善配线可靠性。形成电极通过其延伸的孔，并且在包括配线的配线层上执行过蚀刻工艺。然后，通过在该孔中嵌入铜，可形成由铜制作的电极。在电极通过作为连接区域的构件已经连接到配线后，该连接区域在热处理中被合金化，以便电连接该电极到该配线。因此，能够减小电极和该配线之间的电阻变化，并且还改善配线的可靠性。本发明可应用于半导体器件和制造该半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN108550597B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201810472907.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN108370423B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201780005006.X
申请日：2017-01-05
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本技术涉及一种能够在抑制背面照射型固态摄像元件的质量降低的同时使焊盘形成在较浅位置的固态摄像元件和电子设备。固态摄像元件包括其上层叠有聚光层、半导体层和配线层的像素基板，所述聚光层用于将入射光会聚到光电转换元件上，所述光电转换元件形成在所述半导体层中，以及在所述配线层中形成有配线和外部连接焊盘。所述像素基板构造成使得所述焊盘的第一表面的至少一部分通过贯穿所述聚光层和所述半导体层的通孔露出。例如，本技术能够适用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN102201418A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110070318.3
申请日：2011-03-18
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H04N5/335 , H04N5/225 , G06F17/50
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/76802 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L24/05 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L31/02002 , H01L31/02008 , H01L31/02013 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/08145 , H01L2224/24147 , H01L2224/48463 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
Abstract: 本发明涉及半导体装置、该半导体装置的制造方法和设计方法、以及电子装置。该半导体装置的制造方法包括如下步骤：通过将多个半导体晶片层叠并粘合起来形成含有所述多个半导体晶片的层叠结构，各所述半导体晶片设置有形成于表面侧的布线层且设置有半成品状态的电路；然后对所述层叠结构的上层半导体晶片进行减薄；然后从所述上层半导体晶片形成开口，由此形成连接孔和贯通连接孔，所述连接孔到达形成于所述上层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔穿过所述上层半导体晶片并到达形成于下层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔的直径大于所述连接孔的直径。根据本发明，能够实现高性能，提高生产力，并且降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105027286B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480012222.3
申请日：2014-03-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN101989609B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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公开(公告)号：CN108550597A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810472907.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN105027286A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480012222.3
申请日：2014-03-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN106062955B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201580011344.5
申请日：2015-02-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , G02B5/20 , H04N9/07
Abstract: 本发明涉及能够降低彩色滤光片的不均匀涂布的固体摄像装置、该固体摄像装置的制造方法和电子设备。在传感器板上形成有彩色滤光片和多个连接部区域。所述多个连接部区域之中的至少一个连接部区域被布置成与其他连接部区域以预定的间隔分离。本发明能够应用于例如具有层结构的背侧照射型COMS图像传感器、具有层结构的前侧照射型COMS图像传感器、或者CCD图像传感器等。
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