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公开(公告)号：CN113793858B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110953737.5
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
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公开(公告)号：CN105593995B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201480052465.X
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
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公开(公告)号：CN113793858A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110953737.5
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
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公开(公告)号：CN105814670B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201480066578.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 索尼公司
Inventor： 佐佐木直人
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/522 , H01L27/14 , H04N5/374 , H04N101/00
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/13 , H04N5/3658 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及：能够抑制泄漏和裂纹产生的半导体元件；用于制造半导体元件的方法；以及电子装置。在本发明中，在金属布线的下方使用具有位于金属的CTE与Si的CTE之间的CTE值的绝缘膜，且在TSV侧壁部分，存在着使用具有良好覆盖率的P‑SiO(1μm)作为通孔内部绝缘膜的叠层结构。关于CTE位于金属的CTE与Si的CTE之间的绝缘膜，在通孔内部绝缘膜和与所述通孔内部绝缘膜连续的场域顶部绝缘膜中分别使用例如0.1μm和2μm厚度的SiOC。本发明能够应用于例如成像装置中使用的固态成像元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105593995A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480052465.X
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/13
Abstract: 一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
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公开(公告)号：CN102693951A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210070010.3
申请日：2012-03-16
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H05K3/28
CPC classification number: H05K3/3436 , H01L21/4846 , H01L21/563 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/02175 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03472 , H01L2224/0361 , H01L2224/03906 , H01L2224/0391 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05559 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11001 , H01L2224/11005 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/1191 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13565 , H01L2224/16014 , H01L2224/16145 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/3841 , H05K3/3473 , H05K2201/10674 , H05K2201/10984 , Y02P70/613 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法以及配线板的制造方法。所述半导体器件包括焊接凸点，所述焊接凸点包括形成在基板的电极衬垫部分上的屏障金属层，以及形成在所述屏障金属层的上表面的中心部分以具有比所述屏障金属层的外径小的外径的焊接层。
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公开(公告)号：CN105814670A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066578.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 索尼公司
Inventor： 佐佐木直人
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/522 , H01L27/14 , H04N5/374 , H04N101/00
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/13 , H04N5/3658 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及：能够抑制泄漏和裂纹产生的半导体元件；用于制造半导体元件的方法；以及电子装置。在本发明中，在金属布线的下方使用具有位于金属的CTE与Si的CTE之间的CTE值的绝缘膜，且在TSV侧壁部分，存在着使用具有良好覆盖率的P?SiO(1μm)作为通孔内部绝缘膜的叠层结构。关于CTE位于金属的CTE与Si的CTE之间的绝缘膜，在通孔内部绝缘膜和与所述通孔内部绝缘膜连续的场域顶部绝缘膜中分别使用例如0.1μm和2μm厚度的SiOC。本发明能够应用于例如成像装置中使用的固态成像元件。
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公开(公告)号：CN101989609B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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公开(公告)号：CN101989609A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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