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公开(公告)号：CN108336104B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810223772.X
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN110649052B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910872242.2
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN107425028B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710300184.7
申请日：2012-03-02
Applicant: 索尼公司
Inventor： 长田昌也
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过所述导体层在所述半导体基板的所述第一表面上方的一个位置电连接至所述电极层，并且延伸至所述半导体基板的所述第二表面，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。
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公开(公告)号：CN108336104A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810223772.X
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/0203 , H01L2224/11
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN105593995A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480052465.X
申请日：2014-12-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/13
Abstract: 一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107658265B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201710976438.7
申请日：2012-03-02
Applicant: 索尼公司
Inventor： 长田昌也
IPC: H01L21/768 , H01L23/498 , H01L27/146
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过在所述半导体基板的所述第一表面上的所述导体层电连接至所述电极层，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。
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公开(公告)号：CN105793988B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580002735.0
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN107256849A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710161464.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 索尼公司
Inventor： 长田昌也
IPC: H01L23/48 , H01L27/146 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在该半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着半导体基板的厚度方向于该基底材料部分形成竖直孔；竖直孔配线部分，包括形成在该基底材料部分的形成该竖直孔的侧壁上的竖直孔电极；金属膜，形成在该绝缘膜内，并且电连接到竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与该绝缘膜内的该金属膜接触，并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。
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公开(公告)号：CN102683323A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210052600.3
申请日：2012-03-02
Applicant: 索尼公司
Inventor： 长田昌也
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H01L27/146
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/76898 , H01L23/49866 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造工艺以及电子装置。所述半导体器件包括：包括半导体的半导体基板；形成在所述半导体基板内的第一表面侧上的电极层；层叠在所述半导体基板的第一表面上的框体层；导体层，形成在通过使所述电极层在所述半导体基板的第一表面上暴露出来的方式加工所述半导体基板和所述框体层而形成的开口部分中；纵孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿透所述半导体基板直到所述导体层；和配线层，在所述纵孔的端部处经由所述导体层电气地连接至所述电极层，并延伸至所述半导体基板的第二表面。
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公开(公告)号：CN101989609A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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