公开(公告)号：CN104718622B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201380053203.0

申请日：2013-10-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梅林拓 ,  田谷圭司 ,  井上肇 ,  金村龙一

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体部，它包括在它一侧的第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管；第二半导体部，它包括在它一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括在它一侧的第三布线层，所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，其将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接，以使得被电连接的布线层处于电气通信。

公开(公告)号：CN104009054B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410190371.0

申请日：2010-10-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 高桥洋 ,  梅林拓

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备，该半导体装置包括：在其一侧包括第一布线层的第一半导体部；在其一侧包括第二布线层并包括电极焊盘部的第二半导体部，所述第一和第二半导体部被固定到一起，使得第一半导体部的第一布线层侧与第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；第一导电材料，其设置在穿过第一半导体部的装置层而延伸到第一半导体部的第一布线层中的连接点的第一凹槽部中；第二导电材料，其设置在穿过第一半导体部而延伸到第二半导体部的第二布线层中的连接点的第二凹槽部中，从而第一和第二布线层电连通；绝缘膜，其各自布置在第一和第二凹槽部的侧壁上；以及延伸穿过第一半导体部以使电极焊盘部暴露的开口。

公开(公告)号：CN105659376A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480056283.X

申请日：2014-10-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梅林拓 ,  助川俊一 ,  横山孝司 ,  细见政功 ,  肥后丰

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 本公开涉及使得能够提供MRAM的存储器单元结构的存储器单元结构、存储器制造方法以及存储器装置，其减小连接到MTJ的牵引布线的电阻、减小存储器单元的面积并避免由于热导致的MTJ的性能退化。存储器单元包括：晶体管，其使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、第一扩散层和第二扩散层之间的部分处形成沟道；以及存储器元件，其设置在第一扩散层之下。第一扩散层经由在使硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到存储器元件。

公开(公告)号：CN104009055A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410190725.1

申请日：2010-10-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 高桥洋 ,  梅林拓

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备，所述半导体装置包括：第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层；第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层，该第二布线层包括电极焊盘部，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起，使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对；导电材料，其设置在穿过所述第一半导体部延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的凹槽部中，且所述第一布线层和所述第二布线层借助于所述导电材料而电连通；绝缘膜，其布置在所述凹槽部的侧壁上；以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。

公开(公告)号：CN102054849B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201010516265.9

申请日：2010-10-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 高桥洋 ,  梅林拓

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备，所述半导体装置具有：第一半导体部，在其一侧包括第一布线层；第二半导体部，在其一侧包括第二布线层，第一半导体部和第二半导体部被固定到一起，使得第一半导体部的第一布线层侧与第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；导电材料，其穿过第一半导体部延伸到第二半导体部的第二布线层，且第一布线层和第二布线层通过所述导电材料电连通；以及穿过第一半导体部而延伸到第二布线层的开口，该开口不同于用于导电材料的开口。

公开(公告)号：CN101989609A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010233877.7

申请日：2010-07-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 吉原郁夫 ,  长田昌也 ,  佐佐木直人 ,  梅林拓 ,  高桥洋 ,  大塚洋一 ,  北村勇也 ,  金口时久 ,  井上启司 ,  林利彦 ,  松谷弘康 ,  青沼雅义 ,  吉冈浩

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。

公开(公告)号：CN110246854A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910188795.6

申请日：2013-10-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梅林拓 ,  田谷圭司 ,  井上肇 ,  金村龙一

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体部，它包括在它一侧的第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管；第二半导体部，它包括在它一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括在它一侧的第三布线层，所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，其将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接，以使得被电连接的布线层处于电气通信。

公开(公告)号：CN107482024A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710220017.1

申请日：2013-10-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梅林拓 ,  田谷圭司 ,  井上肇 ,  金村龙一

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置，其包括：第一半导体部，包括第一布线层、位于与第一侧相对的第二侧的光电二极管、至少一个传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管；第二半导体部，包括第二布线层和多个晶体管，第一和第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，包括第三布线层，第二和第三半导体部被紧固在一起；以及第一导体，与第一布线层和第二半导体部中的第二导体连接，其中，第二导体的一部分在第二半导体部中横向延伸，第二导体还与第二布线层和第三布线层连接，第二导体的一部分位于所述第二半导体部中与第一侧相对的第二侧，且多个晶体管在垂直方向上位于所述一部分和所述第二布线层的布线之间。

公开(公告)号：CN107425021A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201611216307.0

申请日：2013-10-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梅林拓 ,  田谷圭司 ,  井上肇 ,  金村龙一

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469

Abstract: 一种固体摄像装置，包括：第一半导体部，它包括第一侧处的第一布线层和与第一侧相反的第二侧处的光电二极管，且还至少包括传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管；第二半导体部，它包括第一侧处的第二布线层，且还包括在垂直方向上处于第二半导体部的第一侧与相反的第二侧之间的多个晶体管，第一、第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括一侧处的第三布线层，第二、第三半导体部被紧固在一起以使得第一、第二和第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，它与第一布线层及第二半导体部中的第二导电材料连接。第二导电材料的一部分位于第二半导体部的与第一侧相反的第二侧处且横向地延伸。第二导电材料还与第二布线层及第三布线层连接。

公开(公告)号：CN104009055B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410190725.1

申请日：2010-10-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 高桥洋 ,  梅林拓

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备，所述半导体装置包括：第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层；第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层，该第二布线层包括电极焊盘部，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起，使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对；导电材料，其设置在穿过所述第一半导体部延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的凹槽部中，且所述第一布线层和所述第二布线层借助于所述导电材料而电连通；绝缘膜，其布置在所述凹槽部的侧壁上；以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。